英飛凌推出全新車規級 750 V EDT2 IGBT 適用於分立式牽引逆變器

為了滿足目標應用的要求，英飛凌新推出的EDT2 IGBT產品系列具備出色的抗短路能力。此外，它所採用的TO247PLUS封裝具有更大的爬電距離，更有利於進行系統設計。同時，EDT2技術專門針對牽引逆變器進行了優化，擊穿電壓為750 V，可支援高達470 VDC的電池電壓，並顯著降低開關和導通損耗。

分立式EDT2 IGBT在100°C的溫度條件下運行時，額定電流通常為120 A或200 A，這兩款型號均具有極低的正向電壓，相比上一代產品，導通損耗降低了13%。其中，額定電流為200 A的AIKQ200N75CP2，在採用TO247Plus封裝的分立式IGBT產品中堪稱出類拔萃。因此，僅需少量的並聯元件，便可實現既定的目標功率等級，同時還可提高功率密度，降低系統成本。

此外，EDT2 IGBT的參數分佈非常集中。集極-射極飽和電壓（Vce(sat)）的典型值與最大值之間相差不足 200 mV，閘極閾值電壓（VGEth）也相差不到750 mV。而且飽和電壓為正溫度係數。總之，這些特性有助於輕鬆實現並聯運行，從而提高最終設計的系統靈活性和功率可擴展性。除此之外，這款IGBT元件還擁有平穩的開關特性、低閘極電荷（QG）和175°C的最高接面溫度（Tvjop）等優點。

供貨情況

英飛凌新推出的EDT2 IGBT包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩種型號，現已開始供貨。