英飛凌推出基於1700 V TRENCHSTOP™ IGBT7 的EconoDUAL™ 3 模組 大幅提升逆變器的功 ...

與過去採用 IGBT4 晶片組的模組相比，基於TRENCHSTOP IGBT7晶片的FF900R17ME7_B11模組在相同的封裝尺寸下，可將逆變器的輸出電流值提高40%。全新的1700 V IGBT7模組還顯著降低了靜態和動態損耗，同時解決了諸多應用中二極體晶片普遍存在的靜態損耗高的問題。此外，這項新晶片技術可增強du/dt的可控性，並提高二極體軟切換特性。在宇宙射線的影響下，FIT率也顯著降低—這是在高壓直流母線電壓下工作時的一項重要參數。不僅如此，這款新功率模組的最大超載接面溫度為175°C。

領先業界的1700 V EconoDUAL 3模組具有900 A 和750 A兩個電流等級，其中750 A的模組採用了更大的二極體，旨在進一步提升該產品組合的靈活性。總體而言，採用 TRENCHSTOP IGBT 7 晶片的全新 1700V EconoDUAL3 模組能夠提高逆變器的功率密度，在豐富的應用場景中實現性能水準的全面提升。

FF900R17ME7_B11、FF750R17ME7D_B11和FF225R17ME7_B11現已開放訂購。該產品組合將會持續豐富，後續產品（特別是電流等級在300 A-750 A之間的產品）將在2022年底推出。