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英飛凌推出全新 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 分立元件系列 具備優異效率 ...

2021-2-18 05:59 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 70| 評論: 0|來自: 台灣英飛凌科技股份有限公司

摘要: 英飛凌推出具 650 V 阻斷電壓,採獨立封裝的 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 產品組合。結合 650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 技術的主要優點及共同封裝單極結構的CoolSiC 蕭特基二極體,具有出色的切換頻率和更低的切換損 ...

英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 推出具 650 V 阻斷電壓,採獨立封裝的 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 產品組合。新款 CoolSiC 混合型產品系列結合了 650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 技術的主要優點及共同封裝單極結構的CoolSiC 蕭特基二極體。新產品具有出色的切換頻率和更低的切換損耗,特別適用於 DC-DC 電源轉換器和功因校正 (PFC)。其常見應用包括:電池充電基礎設施、能源儲存解決方案、光伏逆變器、不斷電系統 (UPS),以及伺服器和電信用交換式電源供應器 (SMPS)。


圖:英飛凌新款分立式 CoolSiC™ Hybrid IGBTs可降低多達 60% 的 Eon 和 30% 的 Eoff。

由於續流 SiC 蕭特基障礙二極體與 IGBT 採用共同封裝,在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下,CoolSiC Hybrid IGBT 運作時能大幅降低切換損耗。與標準的矽二極體解決方案相比,新產品可降低多達 60% 的 Eon 和 30% 的 Eoff。或者,也可在輸出功率保持不變下,提高切換頻率至少 40%。較高的切換頻率有助於縮小被動元件的尺寸,進而降低物料清單成本。該 Hybrid IGBT 可直接替代 TRENCHSTOP 5 IGBT,無需重新設計,便能使每10 kHz 切換頻率提升 0.1% 的效率。


此產品系列可作為全矽解決方案和高效能 SiC MOSFET 設計之間的銜接,與全矽設計相比,Hybrid IGBT 可提升電磁相容性和系統可靠性。由於肖特基障礙二極體的單極性,使二極體能快速切換,而不會有嚴重的振盪和寄生導通的風險。此系列提供 TO-247-3 或 TO-247-4 針腳的 Kelvin Emitter 封裝供客戶選擇。Kelvin Emitter 封裝的第四針腳可實現超低電感的閘極射極控制迴路,並降低總切換損耗。


供貨情況

CoolSiC Hybrid 分立式 IGBT 系列延續先前所推出採用 IGBT 晶片與 CoolSiC 蕭特基二極體的 CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK™ 1B 和 2B 模組的成功經驗。此分立式產品組合即日起接受訂購。系列包含與半額定 CoolSiC 第 6 代二極體共同封裝的 40A、50A 和 75A 650 V TRENCHSTOP 5 超高速 H5 IGBT,或與全額定 CoolSiC 第 6 代二極體共同封裝的中等速度 S5 IGBT。

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