高效能半導體解決方案供應商 Fairchild （納斯達克代碼： FCS），1月7日宣佈其650 V 場截止溝槽式 IGBT應用于古瑞瓦特新能源公司最新一代太陽能逆變器中，該公司是家用與商用太陽能應用逆變器的領先製造商。 由於使用了Fairchild的 IGBT，古瑞瓦特將其新型 5K-HF 太陽能逆變器的功率密度，與之前型號相比提升了 20%。 古瑞瓦特副總裁兼研發總監吳良材表示︰「我們的新一代太陽能逆變器在業界率先採用 Fairchild 的 TO247 4L 封裝 IGBT， 運用 IGBT 晶圓及 4L 封裝工藝新技術，我們能夠透過大幅提高驅動訊號的開關頻率充分利用 IGBT 的特性，從而獲得卓越的安全工作區，同時不會顯著增加半導體的功耗。 此外，我們還可以使用較小的磁性元件，從而顯著減小系統尺寸並提高性價比。」 Fairchild 高功率工業應用事業部副總裁 Jin Zhao 表示︰「有像古瑞瓦特這樣的業界領導者在其超高效率的下一代太陽能逆變器中採用我們的 650V 場截止溝槽式 IGBT，彰顯了我們的 IGBT 卓越特性及功能， 這些 IGBT 採用 Fairchild 的創新型場截止技術，為要求較低傳導及開關損耗的太陽能逆變器、UPS、焊接機、電信設備、ESS 及 PFC 應用提供最優效能。」
古瑞瓦特執行總裁（CEO）丁永強表示︰「提高逆變器的效率及功率密度是古瑞瓦特研發人員長久以來的目標。 半導體技術的進步顯著減少了我們的逆變器所需的金屬部件的比例，這會導致多種好處，包括較小的產品尺寸、較小的重量、更低的成本，及更輕鬆的傳輸與存儲。 我們會在此次成功的基礎上更進一步，並繼續在我們的太陽能逆變器開發中採用先進技術，從而為客戶提供更多價值以及更佳的效率及功率密度， 我們採用更高的開關頻率拓撲開發了新的 5K-HF 逆變器，這是一個更優的佈局及新的磁性材料，提供業界領先的效率，功率密度共提高 20% 以上。」 Fairchild 的 650V 場截止溝槽式 IGBT 採用全新 IGBT 技術及創新型封裝，因而能夠實現這個目標。 |
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