Fairchild 下一代 PowerTrench MOSFET 提供業界最佳的效能

在 2016 年 APEC 展覽會上，Fairchild（NASDAQ 代號： FCS)，全球領先的高效能半導體解決方案供應商，今日宣佈推出公司最新一代 100V N 通道功率 MOSFET 產品中的旗艦型元件，FDMS86181 100V 屏蔽閘極 FDMS86181 100V Shielded Gate PowerTrench^® MOSFET。FDMS86181 是 Fairchild 首款新一代 PowerTrench MOSFET 元件，在電源供應器、馬達驅動以及其他需要 100V MOSFET 應用，它顯著提高了效率、降低了其電壓振鈴並減少了電磁干擾 (EMI)。

Fairchild 早在大約 25 年前就成功躋身 PowerTrench MOSFET 領域先鋒之列，而推出這款最新一代 PowerTrench 元件將繼續令公司保持在 MOSFET 技術開發的前列，領先於競爭對手，並且能夠滿足客戶最嚴苛的系統電源需求。

Fairchild iFET 事業部副總裁兼總經理 Suman Narayan 表示︰「我們的新款 100V N-通道 場效電晶體是 PowerTrench MOSFET 基礎上的一個重大進步，從效率到可靠性，幾乎在效能的各個方面都顯著優於競爭產品。」 

新一代 FDMS86181 的主要優勢在於其將 Rdson 減少了 40% 以減少傳導損失，將閘極電荷降至最低而減少開關損失。 FDMS86181 極低的 Qrr 幾乎消除了振鈴導致的電壓過衝，從而能夠減少或去掉產品設計中的緩衝電路，並降低電磁干擾 (EMI)。FDMS86181 這一獨特優勢允許設計者同時減小產品尺寸和降低物料 (BOM) 成本。