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英飛凌OptiMOS™ 6 100 V 大幅提升技術規格 為高切換頻率應用樹立全新業界標準 ...

2021-12-6 10:26 AM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 450| 評論: 0|來自: 台灣英飛凌科技

摘要: 英飛凌推出採用全新功率 MOSFET 技術的 OptiMOS™ 6 100 V,針對電信與太陽能等高切換頻率應用進行最佳化,有效改善與電荷 (切換) 及導通電阻 (傳導) 相關的損耗表現;具備極低的導通電阻及更寬廣的安全操作區域 (SO ...
當前切換式電源供應 (SMPS) 及電池供電的應用的現住趨勢是提高效率和可靠性。順應這一發展趨勢,英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 推出採用全新功率 MOSFET 技術的 OptiMOS™ 6 100 V。新產品專門針對電信與太陽能等高切換頻率應用進行最佳化,有效改善與電荷 (切換) 及導通電阻 (傳導) 相關的損耗表現。同時,它具備極低的導通電阻及更寬廣的安全操作區域 (SOA),是電池供電應用 (BPA) 和電池管理系統 (BMS) 的理想選擇。


圖:英飛凌推出採用全新功率 MOSFET 技術的 OptiMOS™ 6 100 V。

MOSFET 的 OptiMOS 6 100 V 系列採用新穎的設計理念,具備更低的導通電阻及同級產品中最佳的優質係數 (FOM)。極低的導通電阻和優異的切換性能這兩大特性,讓OptiMOS 6 能夠簡化散熱設計,並減少需要並聯的元器件數量,從而帶來出色的效率、提高功率密度、降低系統成本並延長使用壽命。


尤其在電信領域,OptiMOS 6更具顛覆性,與目前市面上先進的 OptiMOS 5 相比,它的導通電阻降低了18%,FOM降低了30%以上。在 600 W、-(36-60) V 至 12 V 的ZVS 降壓-升壓轉換器中,採用 Super-SO8 封裝、導通電阻為2.2 mΩ 的 OptiMOS 6,能效比 OptiMOS 5 BSC027N10NS5 (2.7 mΩ) 提高了1%,可以在整個負載範圍內實現穩定運行。得益於低電荷和低導通電阻,它的功率損耗降低了 7 W,功率密度提高了 15%。此外,OptiMOS 6 100 V系列還具有另一項非常重要的優勢,即能夠降低傳導和開關損耗,並最大限度地減少需要並聯的元器件數量。

OptiMOS 6 100 V 是高能效解決方案,有助於營造綠色低碳世界。在電信領域的電力系統架構中,採用新的 MOSFET 技術,每年的潛在節能效益相當於 170 戶家庭的用電量。這些設備能夠在十年內   減少100萬歐元的用電成本。

供貨情況
OptiMOS 6 100 V 目前推出 SuperSO8 5x6 與 PQFN 3.3x3.3 兩種封裝版本,導通電阻值範圍很寬,既可以提供業界極低的導通電阻,也可以滿足高性價比的需求。

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