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安森美半導體宣布推出全新650 V碳化矽 (SiC) MOSFET

2021-2-18 06:25 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 58| 評論: 0|來自: 安森美半導體

摘要: 安森美半導體宣布推出一系列新的碳化矽 (SiC) MOSFET裝置,適用於對於功率密度、能效和可靠性要求極高的相關應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術,將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、伺 ...
推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor,美國那斯達克上市代號:ON),宣布推出一系列新的碳化矽 (SiC) MOSFET裝置,適用於對於功率密度、能效和可靠性要求極高的相關應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術,將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、伺服器電源(PSU)、電信和不斷電供應系統(UPS)等應用中實現顯著的更佳性能。

安森美半導體新的車規AECQ101和工業級合格的650伏(V) SiC MOSFET基於一種新的寬能隙半導體,提供比矽更勝一籌的開關性能和更好的熱性能,因而提高系統級能效、功率密度,及減少電磁干擾(EMI)、系統尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET採用新穎的有源單元設計,結合先進的薄晶圓技術,可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp (Rdson * area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1採用D2PAK7L和To247封裝,具有市場最低的Rdson (12 mOhm)。這技術還優化能量損失品質因數,從而優化了汽車和工業應用中的性能。內置門極電阻(Rg)為設計人員提供更大的靈活性,而無需使用外部門極電阻人為地降低裝置的速度。 更高的功率變動、雪崩能力和短路穩健性都有助於增強耐用性,從而提供更高的可靠性和更長的裝置使用壽命。

安森美半導體先進電源部門資深副總裁Asif Jakwani在發佈新品時表示:「在現代電源應用中,如電動汽車(EV)車載充電器(OBC)和可再生能源、企業運算及電信等其他應用,高能效、可靠性和功率密度是設計人員一直面臨的挑戰。這些新的SiC MOSFET比同等的矽開關技術顯著提高性能,使工程師能夠滿足這些具有挑戰性的設計目標。增強的性能降低損耗,從而提高能效,減少熱管理需求,並降低電磁干擾(EMI)。使用這些新的SiC MOSFET的最終結果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案。」

新裝置均為表面貼裝,並提供產業標準封裝類型,包括TO247和D2PAK。

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