邏輯晶片製程現已達5奈米節點，且量產業者為數有限，台積電雖技術領先，但三星電子(Samsung Electronics)亦積極追趕，除4奈米製程將在2021年下半推出外，並將在3奈米啟用環繞式閘極場效電晶體(Gate-All-Around Field Effect Transistor；GAAFET)技術欲超越台積電，然三星已推遲3奈米製程至2023年量產，恐使其更難追趕台積電。 依據三星的資料，因其5奈米技術僅為7奈米的改良版，對比台積電同樣製程節點，三星在晶片速度提升、功耗改善表現相對落後；同時，三星4奈米製程雖將在2021年量產，但推算其製造的晶片性能表現，恐僅與採用台積電5奈米技術製造的晶片相當。 三星雖將在3奈米製程率先量產GAAFET，但所製造的晶片速度與功耗改善預估僅與台積電3奈米技術相當。而三星將3奈米技術量產時程從2022年延至2023年，意味台積電2022年量產3奈米時，三星將由第二代4奈米製程應戰，且三星領先台積電量產GAAFET技術(2024年上半)的時程，恐由1年半大幅縮短至約半年。 即使三星「系統半導體願景2030」(System Semiconductor Vision 2030)戰略將砸逾1,500億美元加強技術研發、EUV設備採購與產能布建，欲奪下全球邏輯晶片製造的龍頭地位，然考量與台積電既有技術差距、新技術量產時點、EUV設備數量、資本支出規模等，DIGITIMES Research分析師陳澤嘉認為，三星的願景恐不易達成。
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