GLOBALFOUNDRIES推出2.5D 高頻寬記憶體解決方案 滿足資料中心、網路及雲端應用的需求 ...

GLOBALFOUNDRIES (格羅方德半導體) 今日宣布其採用高效能 14 奈米 FinFET 製程技術的 FX-14™ 特定應用積體電路 (ASIC) 整合設計系統，已通過 2.5D 封裝技術解決方案的矽功能驗證。

此 2.5D ASIC 解決方案包含一個縫合載板中介層，用以克服微影技術的限制，以及一個和Rambus作研發的多通道 HBM2 PHY，每秒可處理 2Tbps。本解決方案以 14 奈米 FinFET 技術展示，將整合至GF新一代 7 奈米 FinFET 製程技術的 FX-7™ ASIC 設計系統中。

GLOBALFOUNDRIES ASIC 產品開發副總 Kevin O'Buckley 表示，「隨著近年來互連與封裝技術出現大幅進展，晶圓製程與封裝技術間的界線已趨模糊。將 2.5D 封裝技術整合至 ASIC 設計中，能帶來突破性的效能提升，而這也再一次展現了GF的技術能力。這項進展讓我們能夠從產品設計開始一路到製造與測試，以一站式、端對端的形式支援客戶。」

Rambus 記憶體 PHY 目標為在低延遲與高頻寬要求的系統中，處理高端網路及資料中心的高密集運算。PHY 符合 JEDEC（固態技術協會）JESD235標準，支援的數據傳輸率高達2Gbps，整體頻寬可達 2Tbps。

「我們花費許多心力打造全面高頻寬記憶體 PHY 技術，就是要讓資料中心與網路解決方案的供應者能夠因應現今最高的工作量，洞悉市場並搶占商機。」 Rambus 記憶體及介面部門資深副總暨總經理 Luc Seraphin說道，「與GF合作讓我們如虎添翼，結合我們的HBM2 PHY、GF的 2.5D 封裝技術及 FX-14 ASIC 設計系統，為產業發展快速的各種應用提供徹底整合的解決方案。」