東芝半導體與儲存產品公司今（1月23日）宣布推出第二代650V碳化矽(SiC)蕭特基位障二極體(SBDs)，該產品提升了公司現行產品的湧浪順向電流(IFSM)約70%。8個碳化矽蕭特基位障二極體的新產品線也即將出貨。
此款碳化矽蕭特基位障二極體採用東芝第二代碳化矽的製程製造，相較第一代產品提升了70%的湧浪順向電流，且同時降低切換損失的“RON*Qc”指數[1]約30%，使其適合用於高效率的功率因素修正方案。
新產品有4A, 6A, 8A, 和10A四種額定電流，用非絕緣的「TO-220-2L」或絕緣的「TO-220F-2L」包裝。這些產品有助於改善4K大銀幕液晶電視、投影機和多功能印表機的電源供應器效率，以及電信基地台和PC伺服器的工業設備。
碳化矽蕭特基位障二極體產品線及主要規格:
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包裝
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特性
(Ta=25℃)
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絕對最大額定值
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電氣特性
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順向直流電流
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非重複性峰值湧浪順向電流
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功耗
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順向電壓
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陽極-陰極 導通電阻
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接面電容
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總電容電荷
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符號
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IF(DC)
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IFSM
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Ptot
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VF
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Ron
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Cj
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QC
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數值
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最大值
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最大值
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最大值
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典型值
＆最大值
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典型值
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典型值.
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典型值
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單位
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(A)
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（A)
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(W)
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(V)
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（ｍΩ）
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（pF）
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（nC)
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測試條件/料號
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-
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@ Half-sine Wave
t=10 ms
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-
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@IF(DC)
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@IF(DC)×
0.25 to 1.0
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@VR=1 V
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@VR=400 V
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非絕緣
TO-220-2L
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TRS4E65F
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4
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39
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55.6
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1.45
(Typ.)
1.60
(Max)
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120
|
165
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10.4
|
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TRS6E65F
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6
|
55
|
68.2
|
82
|
230
|
15.1
|
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TRS8E65F
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8
|
69
|
83.3
|
62
|
300
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19.7
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TRS10E65F
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