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東芝推出領先業界等級全新MOSFET系列產品

2016-12-23 06:27 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 147| 評論: 0|來自: 台灣東芝電子零組件股份有限公司

摘要: 東芝半導體與儲存產品公司22日宣布推出領先業界之全新U-MOS九代低電壓N通道功率MOSFET 40V與45V系列產品,其具備低導通電阻和高速之優良表現, U-MOS9系列MOSFET產品陣容提供更多樣化產品選擇,以滿足製造商各式需求 ...

東芝半導體與儲存產品公司今(22日)宣布推出領先業界之全新U-MOS九代低電壓N通道功率MOSFET 40V45V系列產品,其具備低導通電阻和高速之優良表現, U-MOS9系列MOSFET產品陣容提供更多樣化產品選擇,以滿足製造商各式需求。回應市場期待與需求,系列產品即日起開始出貨。

  此MOSFET新品利用東芝低電壓最新世代溝槽結構之U-MOS九代製程以達到領先業界[1]的低導通電阻及高速表現,其全新結構有效降低“RDS(ON) * Qsw[2],藉由降低輸出電荷以改善輸出時所產生之損耗,有助提高產品效率;此外,全新MOSFET利用優化其晶粒結構抑制切換時產出之湧浪電壓及振鈴,有效降低電磁干擾,此產品之創新研發已超越目前東芝現有產品[3]。全新U-MOS九代低電壓N通道功率MOSFET系列有1340V545V產品是專為工業及消費性產品應用所設計,包含:高效率直流-直流轉換器、高效率交流-直流轉換器,電源供應器和馬達驅動器。

全新MOSFET產品陣容主要特性與規格

【主要特性】

  • 領先業界[1]低導通電阻
    RDS(ON)= 0.80 mΩ (max)
    VGS= 10V (TPWR8004PL)
    RDS(ON)= 0.99 mΩ (max)
    VGS= 10V (TPW1R005PL)
  • 低輸出電荷
  • 高速表現
  • 低切換雜訊
  • 提供4.5V邏輯準位驅動

【產品陣容與規格】

 註:

[1] 截至2016129日,東芝調查同等級之產品類別中,本系列新品領先業界。

[2] RDS(ON):-源極導通電阻
    Qsw:
閘極切換電荷

[3] 東芝產品使用上一代 U-MOS8製程

[4] 全新產品

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