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[問題求助] 想請問一下設計mos的wenth跟length

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1#
發表於 2007-9-15 00:17:02 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近一直在模擬paper上的電路,(也清楚了為何電路會這樣接)( d6 I$ r( G, c$ z. y# o' c
好比說VCO,PLL的電路
' g# g6 t! y, i/ a通常你們在設計nmos或pmos的時候,長寬比都怎麼去設計呢
. p9 w3 s: _% h0 n, K9 v, @8 G如果是以0.18um製成或0.35um的製程來說
, f- U# T, n- ?7 U7 {5 b4 R不知道各位專家有沒有什麼建議或指導之類的.....
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發表於 2007-9-19 10:31:31 | 只看該作者
類比的世界  沒有 standard!!
2 G3 a$ A" ^! M# @- \所有的 width & length 都是依照設計者的需求來設計!!8 H, L) `: W- M5 V( ?, n/ ^* o
所以  應該沒有人可以告訴你標準答案!!
* j7 D) O+ Q/ W/ f! P3 b) m$ N# N或許  有這麼一條 guide line 叫做  儘量不要用到 min. length/width!!& y$ ~! s; l+ F& [2 L
這是考慮到製程變異的時候!!  假如不 care 時  也是可以用的啦!!. G- T7 @; c% z+ i; E0 L
看你自己的需求唷!!

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參與人數 1 +5 收起 理由
monkeybad + 5 Good answer!

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2#
發表於 2007-9-16 18:56:58 | 只看該作者
根据工艺确定Length,然后根据MOS的功率和速度确定wenth。
4#
發表於 2007-9-19 17:04:53 | 只看該作者
L與W跟你的操作電流、頻率盛至跟溫度有關. e4 B, ^7 G! l8 ~# l2 z
一般L的不要抓到min值,L大一點可以避掉製程size的變異
2 N" m5 I7 ~  f4 e% D  {6 B適當的W/L比例控制去抓Veff值比較好
5#
發表於 2007-9-20 16:46:12 | 只看該作者
一般在設計NMOS或PMOS,為了讓MOS在飽和區工作,以所需要的電流(Id),再利用MOS飽和區電流公式Id=1/2 u Cox (W/L)(Vgs-Vt)2來估算W/L的比值,' B% O! h7 {9 B8 K. l# c) j8 L9 b1 H
另外,如果是0.35um的製程,表示L最小可以到0.35um,但建議不要用到最小,因為如果製程不穩,L很可能會跑掉,而造成電路Function功能不正常。
6#
發表於 2007-9-21 19:50:54 | 只看該作者
比如W/L=12/60. 和这个20/30。match怎么看
7#
發表於 2007-10-26 13:49:55 | 只看該作者
Sorry, I would say they are total mismatch!
8#
發表於 2007-12-16 19:42:58 | 只看該作者
一般類比電路的書籍(ex:Alan..)都會提到喔,大部分都是以OP當做例子,利用OP的規格去回推MOS的SIZE喔.
9#
發表於 2007-12-16 23:11:09 | 只看該作者
0.35um製程, 應該 L 都用0.35um , W可用10um或是5um,我在學HSPICE都是這樣設定的0 I) I$ N" d& f# O$ }$ D. \  k: u
但還是要看設計者啦
10#
發表於 2008-1-15 14:31:07 | 只看該作者
看是類比還是數位電路,% W. J7 m* |2 X! M$ R4 D' F
類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L,
5 x! @7 y" ~+ i3 k數位電路基于經濟的考慮,會選取最小的L, 0.35um. 因為數位的處理電平都是0和1.
11#
發表於 2008-1-15 16:55:07 | 只看該作者
2樓的是REVERSE吧...3 g8 ?2 G# V1 `; {% _! Q( b
* p% L) O0 b( o
我想還是要以分析來設計% A; J$ Q4 J! y! t" F1 n$ t. o

1 f  B8 @4 y9 m& x$ ^- b! k先明白公式,推小信號MODEL
+ o: y9 }" |  L5 V5 ]  z& r9 I- q/ b# f1 z
應該可更清楚
12#
發表於 2008-1-15 21:09:51 | 只看該作者
類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L
8 H# g) }+ {) ^7 l* V^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
* H0 f/ t- }1 u% K' [基於 製程變異 及 短通道效應 6 H2 t- ~# l/ e# f2 l; S

- H1 w4 Q. k* H* M6 R: Z/ b. ]& z先明白公式,推小信號MODEL3 e2 ^3 O7 x0 j- s; m' k6 {
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^( E; w. E) k/ V1 d- x8 E
20/2 跟 10/1  在數學上是一樣的(忽略2次效應)4 _& _+ [# X" M& d3 J; P0 B) v
但在 hspice 可能是不同的 mos model
13#
發表於 2008-2-12 05:07:41 | 只看該作者
for the 0.35 process L usually is 0.4 in the process datasheet, then you calculate your W according the formula Id=1/2uCox(W/L)Vov*2 usually,But as the other guy said your specification is the first
14#
發表於 2008-3-11 13:36:34 | 只看該作者
Reasonable sizes for lengths of the transistor might be between 1.5 and 2 times the minimum transtor lengh of particular technology.
15#
發表於 2008-4-5 22:02:12 | 只看該作者
一般length都會設計在最小L的2-5倍2 J3 X: G% T( B* z& n
再看電流來設計wenth
16#
發表於 2008-4-11 15:42:44 | 只看該作者
L大小的選擇和mos的使用有關係
1 d. `) \+ z, ]6 V4 {有從match的考慮,電壓mos和電流mos! K0 i& r/ ~# d) d
有從1/fnoise的考慮等等" ^# M" X- _. M1 e0 o9 S- o5 f
沒有絕對4 x9 r2 {- Z1 u2 _2 Y- C
w的選擇主要和vdsat和L大小相關
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