關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
3 U6 y) J4 m1 t( N2 O" @之前我有下一顆BGR
7 |1 L, S1 x" u  O- [6 c# R所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
/ a% M# ]$ @, H1 N6 }可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
7 n+ R# e) I& q' r3 i因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂

所以想請問一下大大~  
* {/ T* Q/ R3 U* j- X) YN型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

1 Z$ s/ {5 l; v9 H& i! \以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap voltage reference?
( y1 T7 U5 |% B5 X2 pbandgap voltage reference?
! v# d% R' I* C- D* d0 J, D) @如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
0 @0 m7 E, h: {9 ~7 a/ q" qBandgap 如何做到好的line regulation?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
# `: Y. X  p, }+ W+ S- Y4 eBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作

' Y; Q. P6 D( t' ~/ U. s
) g! f5 y& Z7 ?
) n# f( ?  z" I2 T) k$ E5 [, a5 p[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
" g: l$ `) e: U4 e) j  I應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
1 G# L, X, G: n) p1 r* y) Z假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
應該是接成MOS diode的型態

re:relax918
2 R! p! K& R3 t7 A2 q) k+ z3 w可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
0 e0 y- n9 g0 j這種架構就類似於Diode-connected Transistor
$ o, T; {! Z0 x0 o3 h二極體接法形式的電晶體
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
! ~1 S9 J1 f7 Z/ \4 s但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
公式的表示方法也不一樣
" {. l; U! q1 J, g+ i) u: y# @操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
3 {7 Q7 a/ }. i4 C# j# B! T
' V5 `0 ~$ [! \3 D* i* g+ @而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
* g! l6 Y+ F) d9 n) u  z% A+ ~+ y利用P-N junction的特性而已

所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
應該也會跟BJT做出來的有類似的效果

但是何者較穩定就不保證了

因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
- }3 k( G' y4 Z/ j; Y5 _3 S它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
. J7 @0 a. d  i# k% l8 I6 d& S假如G端也接地的話  ...

0 b  [3 P! u& R' {- {; P感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉