關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
$ x' E: q9 x4 \, h; B+ h8 k之前我有下一顆BGR
/ i9 H6 i! `" @/ E/ E所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
. v  S1 T$ `8 M# B6 c1 J可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
  T1 @* x; V0 m' X. T+ r7 sBJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
# L" L/ P# _# i! k% |因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂
4 j6 U/ f/ P1 m+ [
/ k" k2 }( i* G  V# ]. W# k0 C7 D) \所以想請問一下大大~  
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
% \8 j. t+ _7 Q這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

4 Z6 I  ^+ `" ]以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
: z' }) {8 W4 P2 N1 Q- Mbandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
% w1 Z* s5 W/ H. }; `如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
( y* |% T8 Z4 ?: K$ Z; zBandgap 如何做到好的line regulation?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
4 t: L9 |9 i, U+ v0 o1 mBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
1 M2 Z5 L* Y& @0 a3 V6 C
7 E; H$ t4 D! p; N4 r6 J8 b
+ @2 t, g- p3 d, u3 f- A* |9 B
[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
8 @- d* b2 T  X5 z應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
, {/ A5 v3 G5 k7 J1 K% E2 h3 C2 Z應該是接成MOS diode的型態
" m5 g& Q& Z) ^
0 @" j% Q/ ~9 p" h$ R  o3 _* Qre:relax918
6 ~- y& e- `% V3 h可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
這種架構就類似於Diode-connected Transistor
8 Q3 R" J% x0 L+ a- ~% |( u; `二極體接法形式的電晶體
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
, V. w3 C/ T! h+ E& T; {6 `但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
6 S* O5 J* p) M公式的表示方法也不一樣
7 p6 F2 {2 q5 e$ I0 A! ?0 `操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
( d+ U: L, R( _' {) R. a: T
而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
利用P-N junction的特性而已
9 ^0 D0 |' h3 |
- E9 R( x2 m) E- O6 A! G所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
應該也會跟BJT做出來的有類似的效果

但是何者較穩定就不保證了
: F5 |, ^" d9 f, i( [' l" a3 R
: m$ f% {5 o9 d. y! V' [因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
6 k$ w' O8 t0 s) a/ yNMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
% H+ `+ k: l% S應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
5 z$ S7 B8 g& `假如G端也接地的話  ...

) l- N9 I2 S3 D6 P7 F( g感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
# u' ^8 e  h( d1 m) F) h  b