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[問題求助] layout 的 metal 耐電流?

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1#
發表於 2007-8-1 09:40:48 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
經常要做一些POWER MOS 的 layout!!
) J  |; ^) v0 f. ?7 N/ d這些 MOS 的電流需求都是幾百mA ~ 幾A!!
$ j. W0 g2 P. Q$ I2 J要做足 metal 的寬度  幾乎非常困難!!2 v  V& \5 \+ a6 S8 E4 ?
不知道妳們是如何訂出所需的 metal 寬度!!3 B/ q, J1 m$ O- B: j6 F! P% R
假如以下的狀況:% D& y  s; {7 J# G* C4 J- X5 l5 S
1. Peak current is 2A?
' w& S- ?; J3 _# w' O2. Constant current current is 500mA?
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4#
發表於 2007-8-7 22:19:03 | 只看該作者
為了因應Power MOS的巿場
) N3 ~/ V/ A9 T$ J0 A( I  i通常,製程方面會有一種thick metal,它是有別於一般的metal rule: j! M$ u* M6 P) w; b& p( n, s, U
thick metal它可流過比一般的metal層更高的電流,實際數值端視各家的製程技術,不過,它的rule也比一般的metal rule來的大很多
7 I( c% o) G9 D( f: F2 {, l1 Cthick metal通常放在最上層,作為Power Bus以及driver連線到外部使用,就我使用的經驗,thick metal的值是3-4mA/1um(依各家製程會有不同的範圍)
3#
發表於 2007-8-3 16:21:04 | 只看該作者
如以 1um /1mA  來看,用4層metal 同時拉,應該用500um就行了吧

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參與人數 1Chipcoin +1 收起 理由
sjhor + 1 Peak current 可達 5~10mA/um吧!!

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2#
發表於 2007-8-1 21:06:22 | 只看該作者
一般power mos之chip都很大,所以空間不足的情形,可以加大IC dim,缺點是cost up。
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