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[問題求助] layout 的 metal 耐電流?

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1#
發表於 2007-8-1 09:40:48 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
經常要做一些POWER MOS 的 layout!!: Q! F5 g" t! ], c3 ~8 `/ t
這些 MOS 的電流需求都是幾百mA ~ 幾A!!5 R. S: J+ P+ M
要做足 metal 的寬度  幾乎非常困難!!
7 k! H( y) K+ n  {1 a& ]3 H4 o不知道妳們是如何訂出所需的 metal 寬度!!5 i; G% v: c, |1 P9 U1 R2 _/ V
假如以下的狀況:2 C# U6 B* d% B/ n+ A8 K0 L1 n
1. Peak current is 2A?
* h  i( l9 Y1 d- f2. Constant current current is 500mA?
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2#
發表於 2007-8-1 21:06:22 | 只看該作者
一般power mos之chip都很大,所以空間不足的情形,可以加大IC dim,缺點是cost up。
3#
發表於 2007-8-3 16:21:04 | 只看該作者
如以 1um /1mA  來看,用4層metal 同時拉,應該用500um就行了吧

評分

參與人數 1Chipcoin +1 收起 理由
sjhor + 1 Peak current 可達 5~10mA/um吧!!

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4#
發表於 2007-8-7 22:19:03 | 只看該作者
為了因應Power MOS的巿場# @" W# F6 i0 \5 ?2 ^
通常,製程方面會有一種thick metal,它是有別於一般的metal rule
% k% _: M% L5 Y; z* o7 Dthick metal它可流過比一般的metal層更高的電流,實際數值端視各家的製程技術,不過,它的rule也比一般的metal rule來的大很多# l/ t1 l1 S+ U
thick metal通常放在最上層,作為Power Bus以及driver連線到外部使用,就我使用的經驗,thick metal的值是3-4mA/1um(依各家製程會有不同的範圍)
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