電阻layout時的溫度係數關係

woo240

請問電阻在佈局時的溫度關係TC與電壓係數VC要如何解釋呢?
是這樣的，我現在正在做有關LAYOUT的專題，但是一遇到公式就不會
# B1 y4 w7 B$ v2 Z4 i6 b' ~8 e6 \/ H老師給的PAPER中有給了TC與VC的公式
但怎麼想就是想不出怎麼推導出這式子
7 B& g! Z, S1 k6 l4 c6 Z3 G. O
此外再問個專業用詞的問題，請問：
Silicided poly與unsilicided poly翻成中文要怎麼說呢？
5 ^* }) |% j0 z* g我查了很多的字典，跟線上翻譯，但都沒有結果
如果有layout上的達人請幫我一下
3 X( a: t. p  X. n% Z謝謝

woo240

謝謝各位的幫忙
已經有了初步的了解了
這種東西自己找書真的會找到翻的

sjhor

你可以看一下你使用的製程之 SPICE Model 或是他的 Electronic Design Rule
; t6 T( s1 Y* ^9 i9 e; B, D他們應該就會描述!!
你可以依你的需求來做判斷!!
; m- w! t. {2 c$ _2 q' F% p因為製程的不同  這些也都會有所差異!!

+ D$ G2 @2 [( J; S0 H每一種材料的電阻其  VC/TC 都不相同!!
: v( @( ^. A& |' i  E正系數或者是負係數  也有所差異!!
看製程廠給的資料比較準!!

[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-8-2 12:23 PM 編輯 ]

woo240

to m851055:
   我指的翻是把英文翻成中文的意思
   因為老師給的都是英文paper

to sjhor:
     這是說以poly來話電阻的話VC是最低的是嗎?
     那如果以別的層次來畫VC是不是會不一樣?

sjhor

TC  和  VC 的物理定性公式是如此沒有錯!!
$ T. X, c" H$ w. _& e
製程廠提供的 TC, TC^2, .....  VC, VC^2, ........
這些值都已經算出!!
! x0 t+ v# z- C從圖中得知 TC=1000ppm, VC unkonw.  
: h7 E! \) L, @9 q9 C但已經提示  VC 是 所有可用的電阻中  是最佳的  所以放心去用的意思吧!!

m851055

foundary 廠通用公式，一定可以用。
0 J: A- M( S5 }& F
另外你所貼的圖找半導體物理的書就有了，我以前也推導過(在大一時)，現在在業界都沒用過。

還有你說"翻出來"不懂是甚麼意思。

woo240

感謝大家的回答，對我來說幫助很大
to m851055:
　　請問這個例子用於.35製程也可以嗎?
/ w/ k/ E% ]4 J" d$ L1 Q" g0 g+ V      你說得我有一點了解了，3q
, q& i+ m# o/ \7 m: d  P( i  z2 P
請大家幫我看看以下的圖:


這就是我所說的公式，老師給我的東西我都只是翻出來，但卻不懂
$ l9 K& c1 \; C  Q: A5 b6 N就連例題也是懵懂懵懂，有找過書，但是並沒有看到這樣的公式，請大家指導指導
0 V$ @  x+ B7 ?
  t! W& p2 y9 w/ X; B% j[ 本帖最後由 woo240 於 2007-7-31 09:30 PM 編輯 ]

m851055

原帖由 sjhor 於 2007-7-31 09:15 AM 發表
電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
+ G4 C7 [2 P3 o7 A4 E0 k8 h2 `跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!
# |6 z! A) P$ n! v0 a1 ^1 N
與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
$ d* @; w6 r* ?' J2 a這才是考慮電 ...

1 m* t9 I7 t/ Q
N+ resistor to 12V，so voltage is understand.

sjhor

電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
3 a# N7 ^9 C/ y像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!
9 A: d) e, f6 S" \4 I/ j  A! o+ n, |
) I' x5 E- F7 i( i! e: z8 K與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
這才是考慮電阻 layout 的住要原因吧!!!

m851055

Silicided poly...silicon targe poly
unsilicided poly...unsilicon targe Poly

2 W" H3 P! _# u2 a2 g0 k' Htc1 First-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc1r; 0 if no model is specified.)
tc2 Second-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc2r; 0 if no model is specified.)
: r4 A0 n" c. S' wvc1 voltage across the first capacitor
, j# E: b+ z9 Y$ {3 }$ v# rvc2 voltage across the second capacitor
9 B% m0 x+ e7 O4 {$ F6 ~" c
A two-terminal resistor.
5 f* D7 y  I, y& H/ QThe resistance R is influenced by the temperature as follows:
: z4 A0 v; D/ V2 a/ q* aR = N (1 + AT + BT2)
4 r/ \4 l" m% f0 bT = Ta – Tn
where N, A, B are device parameters described below; Ta (the “ambient” temperature) is set by the
.temp command; and Tn (the “nominal” temperature)
' X" h/ a  l: n7 X

  v* k6 B2 \: z4 {+ |This produces a resistor of resistance 30 kilohms at the nominal temperature tnom. If the temperature T
& f. q1 v3 K5 j! W9 ~0 j$ D9 g) kis different from tnom, the resistance is 30,000*(1+0.01*(T-tnom)+0.0001*(T-tnom)*(T-tnom)). For
example, if the circuit temperature is 127 degrees and tnom is 27 degrees, the resistance is
& h7 o' Q: g  n% W7 P8 g4 F30,000*(1+0.01*100+0.0001*100*100) = 90,000 Ohms.

4 a" J! Y8 F! E3 h[ 本帖最後由 m851055 於 2007-7-30 08:50 PM 編輯 ]