電阻layout時的溫度係數關係

woo240

請問電阻在佈局時的溫度關係TC與電壓係數VC要如何解釋呢?
是這樣的，我現在正在做有關LAYOUT的專題，但是一遇到公式就不會
7 ~0 D: w$ C- F1 E老師給的PAPER中有給了TC與VC的公式
但怎麼想就是想不出怎麼推導出這式子
+ W  `4 f7 s+ y
, Z! h8 e; T3 [; h9 }此外再問個專業用詞的問題，請問：
% S" ?9 {2 n' U; G0 y& `Silicided poly與unsilicided poly翻成中文要怎麼說呢？
5 n; I) Q2 u5 e" I我查了很多的字典，跟線上翻譯，但都沒有結果
: w4 U0 E& Z- l. ?2 `5 _如果有layout上的達人請幫我一下
7 b$ {8 r, m+ X6 K4 ^( [謝謝

m851055

Silicided poly...silicon targe poly
) N8 f" I9 P' D3 z" L& ounsilicided poly...unsilicon targe Poly
- l: W5 J7 q- w
4 g% Y' x7 ~5 ttc1 First-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc1r; 0 if no model is specified.)
tc2 Second-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc2r; 0 if no model is specified.)
vc1 voltage across the first capacitor
vc2 voltage across the second capacitor

* e  ~. G6 ]- R" I" dA two-terminal resistor.
5 O$ ^) {! H+ LThe resistance R is influenced by the temperature as follows:
' ^% y& m3 m( ^4 J2 Q. ~# \4 QR = N (1 + AT + BT2)
0 W1 v0 ~( B# R6 x% vT = Ta – Tn
; F( W1 _9 l, m  v( y* Uwhere N, A, B are device parameters described below; Ta (the “ambient” temperature) is set by the
.temp command; and Tn (the “nominal” temperature)

. C9 Z, w+ T  F+ L
This produces a resistor of resistance 30 kilohms at the nominal temperature tnom. If the temperature T
8 Q* e: w6 w& y; w% qis different from tnom, the resistance is 30,000*(1+0.01*(T-tnom)+0.0001*(T-tnom)*(T-tnom)). For
1 t, [& g: w8 q+ v7 D; Lexample, if the circuit temperature is 127 degrees and tnom is 27 degrees, the resistance is
( s& u" C4 P3 D7 ^4 L" K30,000*(1+0.01*100+0.0001*100*100) = 90,000 Ohms.
; ^. X, m* B7 m# w7 _
[ 本帖最後由 m851055 於 2007-7-30 08:50 PM 編輯 ]

sjhor

電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
+ i1 i( A4 W# ^& J跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
0 I  r3 R4 S# p$ E像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!

8 R( w8 V' w3 R! `- z與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
$ X; B$ b0 g6 H/ a這才是考慮電阻 layout 的住要原因吧!!!

m851055

原帖由 sjhor 於 2007-7-31 09:15 AM 發表
電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
. ~7 u% {3 T7 f' y  U- J2 M跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
+ t) ^' {% w3 T. a2 j& K像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!
* O/ u" J7 {- i) t
4 X. i; u3 i& \與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
! J" L' D! W( \& }' F' t) {這才是考慮電 ...

N+ resistor to 12V，so voltage is understand.

woo240

感謝大家的回答，對我來說幫助很大
to m851055:
　　請問這個例子用於.35製程也可以嗎?
      你說得我有一點了解了，3q

請大家幫我看看以下的圖:


這就是我所說的公式，老師給我的東西我都只是翻出來，但卻不懂
就連例題也是懵懂懵懂，有找過書，但是並沒有看到這樣的公式，請大家指導指導

[ 本帖最後由 woo240 於 2007-7-31 09:30 PM 編輯 ]

m851055

foundary 廠通用公式，一定可以用。
; ^; k8 |$ z% r( Z' J& X2 Y
另外你所貼的圖找半導體物理的書就有了，我以前也推導過(在大一時)，現在在業界都沒用過。

* o; A3 u# Z' V4 R6 M) B$ t; @還有你說"翻出來"不懂是甚麼意思。

sjhor

TC  和  VC 的物理定性公式是如此沒有錯!!
, n$ g8 \5 g. \+ `0 R
' m+ W: ~6 O2 Z* E7 g, P8 S# n製程廠提供的 TC, TC^2, .....  VC, VC^2, ........
3 `( d& m4 h- M2 v這些值都已經算出!!
. c2 {, H2 x2 D" F4 ^: w7 D從圖中得知 TC=1000ppm, VC unkonw.  
但已經提示  VC 是 所有可用的電阻中  是最佳的  所以放心去用的意思吧!!

woo240

to m851055:
   我指的翻是把英文翻成中文的意思
   因為老師給的都是英文paper

to sjhor:
: p0 V- r. {4 V* R; o     這是說以poly來話電阻的話VC是最低的是嗎?
     那如果以別的層次來畫VC是不是會不一樣?

sjhor

你可以看一下你使用的製程之 SPICE Model 或是他的 Electronic Design Rule
他們應該就會描述!!
你可以依你的需求來做判斷!!
因為製程的不同  這些也都會有所差異!!

) U$ q! E8 q/ q4 ]. K" [/ b* ^) b每一種材料的電阻其  VC/TC 都不相同!!
正系數或者是負係數  也有所差異!!
看製程廠給的資料比較準!!

[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-8-2 12:23 PM 編輯 ]

woo240

謝謝各位的幫忙
已經有了初步的了解了
這種東西自己找書真的會找到翻的