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[問題求助] poly fuse 的問題

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1#
發表於 2007-7-5 15:27:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
不知道發這個版對不對... & F$ y1 u9 `6 A/ m( F. ]
& L3 F& _9 H% g- ^& K
想請教版上有使用過 poly fuse 的前輩們..
, y. A6 b* N8 @5 E一般在 C/P 時要確保 fuse 燒斷的條件是如何?? 小弟目前有個產品使用 0.35um process 生產,
* s5 p% z7 N, Q0 E* kpoly fuse 區域 W=0.4um, L=0.8um, trim 的條件為 5.5V, 限流 150mA, 持續 70ms, 不過ㄧ個. W; F$ b, }, p. c: t' V
lot 生產下來仍有 2% 到 8% 不等的失敗比率 (從 log 看起來是沒有完全燒斷)...' F+ q; t* j2 J

$ t; x) Q. `0 P# {( E目前沒有什麼方向...不知道該怎麼解決說...1 P* y& ~& q. D4 A1 Y5 I1 ~
# ?, ^" m, o5 R, p7 `
先感謝前輩們的分享..5 `3 m/ e# {# ^& R
4 w0 x- V. C9 [
以下是 Fuse & Trim 的相關討論:; y- c7 g9 Y) c+ k1 g
e-fuse?  
% d) m, ?9 Z& ^3 opoly fuse 大約多少能量便可以燒斷? 4 }# x! B5 h3 M, N+ R. b" M
如何判断poly fuse 已经blown  
! d5 [6 G! g5 O! \. ?" @" ^8 A有關poly FUSE的不錯paper給大家參考  / t( m7 i; u! z; _5 C' v* R
Laser Trim 1 c. c# M1 }  Q2 E- S: `! o
做完laser trim後內部的電路被打傷的情況嗎?  
. z: a) Q2 o9 h& u/ p2 e9 uTrimming method?   $ g! ~. F& g9 ^% q8 |8 C
Current Sensing Resistor Trimming!!   % g- x8 Q# I/ l0 A* Z; Q, `
请教做laser trim的注意事项  ; C% p2 R( a0 f6 D+ Q; }
Current trimming 要如何做呢?  ' i' P& ?0 F: l! x* s" u! _
4 w& O2 _4 X+ \. Q7 ^
" F" R" R3 T8 w0 P$ `

! B7 O/ }' D  S/ A8 n& z
9 ?5 U2 ~& f9 K[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:39 PM 編輯 ]

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monkeybad + 3 Good question!

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2#
發表於 2007-7-5 19:49:58 | 只看該作者
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3#
發表於 2007-7-6 13:08:04 | 只看該作者
1.一般題高電壓是可行的,但須不damage device 為前題; .35 應可耐到至少 7V 不會 break-down 吧!?
$ M" U* Q; @7 ?/ d  ?; k" T2. Current limit 放大些,因為初期的做用會因為 R 小讓 current limit 限制了stress 的 power ( I^2*R << V*I; 因此時的 V已掉落至很低的電位了!
7 P* r- i: i, r. [結論: Current limit 放大至 CP 探針之限額內, V 提到最大且不會 break-down, trimming 的時間可以縮短很多!可靠度也可以改善!

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wpwang + 3 Good answer!
skyboy + 3 很實用的回覆, 謝謝..
mt7344 + 3 Good answer!

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4#
發表於 2007-7-8 23:07:08 | 只看該作者
poly fuse ...
/ ]! m/ ^4 J" t我看到的fuse 很少有用poly fuse
/ ~. Q) b3 L, A2 y8 A' f/ S+ b8 W通常是用metal fuse...
: @3 `2 [) H1 i; \我以前看過有使用poly fuse) @6 g6 z/ t3 l6 A3 Q1 i! V/ m+ ~
1.因為 process 是 0.6um 所以電流較大(about 350mA)
, S  [# }2 k; M# x1 I; Y大部分的fuse 都燒斷了,但是還是有一些無法燒斷
8 r" @* f0 k' ^  _, E3 r; }1 H有用顯微鏡看(0.6 um 還可以看啦)
0 b7 q" v8 X' e發現到燒斷的地方形成一個節球,又短路在一起了+ }" R8 ]8 c- ?" W5 _! y2 E  o6 o) X
才發現到layout 的形狀也是蠻重要的
$ b( _# L8 {3 K1 ]# ~1 R最好要有轉角(電流集中)0 \; I& E. K6 M/ c3 {  y- Z
2.fuse 的地方通常會開window$ f: H/ w3 e" F6 F# D' e$ v( [
......結果......水氣跑進去,原來燒斷的地方又短路了???8 Z/ F+ H) f0 r( Z8 n2 U! B
目前解決的方法是,封裝前要烘乾一次........
( k/ ]" O4 A6 Y5 R
. X6 u3 H6 O3 X3 @2 Z2 l( d4 S) O以上是實際的經歷,僅共參考

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skyboy + 3 很有用的經驗, 感謝分享..
mt7344 + 3 Good answer!

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5#
 樓主| 發表於 2007-7-10 21:55:34 | 只看該作者
嗯..感謝兩位大大的經驗分享... N$ ], Z- Z( u
3 U; O  \3 N/ ^/ s& y
關於 ssejack1 大的建議, 從過往的 WAT 來看這個製程 3V MOS gate oxide 的 break down 電壓大約都在 8V 上下, 雖然 WAT 的 spec low 是只有 6V 啦 (foundry 的 spec 都訂得超級寬...) - x+ M$ ~" Q2 D" V$ i2 d6 |! b
% u7 F+ h& g# c6 V' v9 R
不過應該還是 ok, 所以我們已經修改測試程式提高 trimming 的 stress, 這幾天應該就會試試看...
, u  ~) l/ M* W- c3 u* N9 O# F' f5 f
另外關於 kkk000777 大的經驗, 有個可以分享的是, 我們之前針對沒有燒斷的 die 去做 PFA, 剝到 poly 那層發現就像大大說的一樣, 燒的時候是有熔斷, 不過又"流"回去了 (foundry 的說法) 就又 short 了, 而第一次沒斷要再燒就很難斷了 (應是因為阻抗變大, 同樣外加電壓下的電流就又更小了)...
) P% t$ T! ~6 Z+ v. s/ ^) y: x) j) D8 `) J* _
不過 foundry 的人說, 我們的 poly fuse 被 power ring 蓋住, 是造成 poly 燒完又搭回去的主因, 建議改光罩, 關於這點不知各位看法如何? 我是覺得不太能說服我, 就算我上面沒有 metal 蓋住, 也是有其他的 field oxide 以及 passivation 蓋住, 應該也有一樣的問題不是嗎??
: I6 r; U4 F5 }7 E& {: f
1 i/ B/ }( l* u! s另外我再衍生兩個問題 (我問題真多.. )
9 ?- c2 z% s5 `5 E! l1st. poly fuse 與 metal fuse 有孰優孰劣 (可靠度) 的分別嗎?? 上次有個 foundry 的人跟我們說, poly fuse 的良率是很低的..(??) 因為我們使用這個東西的經驗並不是很多, 一開始就是用 poly fuse..目前有新產品在進行, 應該也會放入 trimming 的機制, 想了解一下業界在使用 fuse 上的一些習慣..
2 t3 M' W0 A6 Y- O
! l9 {; q$ n, A+ z" m4 P2nd. metal fuse 除了面積較大外, 因為他燒斷時是"爆開"的, 會不會有 short 到另外的 pad 的問題?? 還有就是大大提到的水氣, 是否要考慮 package 品質導致日久也是會有水氣跑進去導致 short 造成的一些誤動作??  假如終端應用上是單價較高或環境較嚴苛的產品, 需不需要考慮這個問題??

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參與人數 3Chipcoin +5 +3 收起 理由
mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 2 感謝經驗分享!
chip123 + 3 不怕問題多!怕的是沒人討論?論壇吶!

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6#
發表於 2007-7-12 20:40:26 | 只看該作者
1.關於poly fuse 的方面,其實我們公司已經放棄此做法
3 r6 F* X: g3 ?1 p' H   由於不是直接使用pad dirver , 是built-in buffer(nmos)
7 n  A3 K. C# ~$ }; w0 y' m   算起來還真的是不划算說,由於並沒有量產所以良率並不是很準確6 }1 n0 d) }5 f  o
   但是工程樣品的數據大約 80% .4 B# w; i. D# m. [* B" W) W
  d& {7 i. H+ q- l! N& Y- ~
2.metal fuse 的方面,目前的測試數據還算不錯,隨便都燒的斷
3 C% U6 c" ^" `1 }( E  |   不過要注意layout , 多個轉角比較容易燒斷,也不容易熔回去( q- t( q: d5 \7 F+ ?

0 A6 e8 ^" z; r+ M1 P3.關於開window 的部分,也不知道是誰建議的(好像是fab. 的人)
; f% O- ?3 P# i% A) C* J  Y   水氣就是會累積啊,真是XXX,害我drc 跑個半死....0 S2 \# k" |, D" R% k7 S0 @4 {

$ Z1 s, n! c+ B, F$ V9 h4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考
6 v6 M" H* a, r1 A$ @2 z   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是.......' ^9 |6 ~" M* z3 w2 T) e
   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的1 G: j( G$ v2 {4 J2 {9 X9 O6 \2 T
   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),0 g) `6 _) G) g4 X/ O# D) I$ p
   面積當然省啦.....
1 n9 A' J: B3 |, o   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以
; `. y) ~' o' z' r! O0 Q5 p$ D   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給) N+ T9 p- d4 N' X. s& ~0 \
   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看....

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參與人數 5感謝 +2 Chipcoin +5 +11 收起 理由
sam7186 + 2 感謝經驗分享
ssejack1 + 5 感謝經驗分享
skyboy + 3 實用的經驗分享, 可以嘗試..
mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 5 感謝經驗分享!

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7#
發表於 2007-7-16 17:57:12 | 只看該作者
以前接觸memory時有使用poly fuse,修補率都有95%以上,影響修補率有許多因素,laser machine setting, fuse layout的條件都會影響,我這裡有一份Excel file有針對輸入不同條件如何選spot size與energy,focus以達最大修補率, 可發email跟我要

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wpwang + 5 人人為我,我為人人!
mt7344 + 3 學到不少!

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8#
發表於 2007-8-1 21:47:47 | 只看該作者
請問 poly or metal fuse 與 靠 MOS gate oxide breakdown 的 OTP 比較, 優缺點是哪些?
+ K+ O9 z- q4 l" vThanks.
9#
 樓主| 發表於 2007-8-3 14:12:36 | 只看該作者
原帖由 kkk000777 於 2007-7-12 08:40 PM 發表 4 F6 A7 t6 j% u- E
4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考
9 I& K% T: s6 q2 }4 S  y' V( u   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是.......! K& k* {  f- {! d. X
   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的
0 Z5 u' c% ~5 ]9 m5 z7 s, ?, U2 W   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),& k; e( S. n8 P( q8 e  A$ L
   面積當然省啦...... b# H8 f) b9 s/ M4 U7 Z1 W' R4 [
   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以. x+ Y' Q1 Q3 S7 R  o9 U, G
   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給
4 j% {4 I7 `# ]5 @7 o6 A7 E% U: q   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看...
+ v( m% \# X, D/ T( S6 V3 f% [
6 b- y. N9 c: d4 N) @

0 M9 P5 j6 w: V: ~% X+ s看到 kk 大的回應才想到好像之前忘記聽誰提到過有這樣的 "偷雞" 法...
7 m7 z+ f/ s# h, v嗯...如果是這樣確實可以節省很多面積, 用 metal fuse 的話也不用擔心
9 e% x: S" z- z6 n1 O: ~1 ?水氣累積的問題 (D/S 後 trim pad 都被切掉了..)
( u3 c/ F7 ~; j! l: T1 R) L  w& [, y& v. f' S; v7 |5 F# ?
不過 ATMEL 應該有他們自己的 foundry, 自己想怎麼搞都行...
- M" S. q7 f8 ?+ G: J  i手邊正好有個新 project 在進行, 看來是考驗我們跟 foundry 交情的時候了...
* @4 i* d& [9 v" C0 ^呵呵...
& ^. a5 z' ^) e
- H/ w8 x. H3 T) r$ Q0 v% m順便 update 一下情報, 後來我把 trimming stress 提高後 trim fail 的數目
! @1 h* ]9 t2 g( b4 v就減少許多了, 不過因為只測了一兩批, 這個部份還會持續 monitor...
10#
發表於 2007-8-10 11:51:15 | 只看該作者
請問 各位高手 7 ]* K2 R$ W) p0 S7 a) g1 ^& L
   是否有人試過 trimming pad 與正常pad 共用?  方法是什麼? 有哪一下注意事項?" f% B" T# u( Y
謝謝
11#
 樓主| 發表於 2007-8-17 18:04:56 | 只看該作者
原帖由 wpwang 於 2007-8-10 11:51 AM 發表
- |& D. }% ?# ]! M2 [請問 各位高手
! z+ u  T3 P, a1 d4 D' d" [/ q& T; i   是否有人試過 trimming pad 與正常pad 共用?  方法是什麼? 有哪一下注意事項?
+ S% A6 X, }/ R9 I! q% q謝謝

* V4 ?7 K9 ]" q- t9 p0 b) E) f- w# }) e6 }4 j% u9 B" |8 W
您的共用是指用一般的 I/O Pad 來當成 trimming pad 嗎?? 還是說一個 pad 可以跑信號
4 U) m: y; I* j) K& T  s+ w# k4 [又可以用來 trim fuse??
0 p  N6 m1 ~! J) o7 e/ C5 f; i8 {$ k. ~' B1 P% U; w- Y  V5 |
如果是後者應該是不行的吧....; }: w) J  j9 B1 M; l5 ^, h
如果是前者應該也是不行, 因為一般 I/O pad 上會有 ESD 電阻, 會限制你 trimming 時的4 @, Q/ Y% L/ V9 D3 z
電流, 所以一般大概都是另外畫一個 pad 給 trim 的 function 用...* B1 Q. b: T! s; A

0 C" n/ o3 ]- [, e不知道是否有回答您的問題.......

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wpwang + 4 學到不少!

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12#
發表於 2007-8-22 13:04:35 | 只看該作者
有一問題請教,一般 metal/poly fuse (漏斗型橋接)的 trimming 效率以常理推論 , V/I source 只要題供的能量足夠,均可以燒斷!4 T% K6 Z. }: x* R& D9 @% s5 P
最近有個 case 是 metal fuse , fuse 欲燒斷之橋接處呈 30~45 度橋接; 此形狀的 fuse 在trim 時電壓不能過高 ( typical 2.5V) 如超出個 200/300 mV 會造成trim完後又熔接的現像!!!..........真是無言..... 8 ?3 Q4 _" G. a$ `
不知那位好心的大大可以幫忙分析一下可能的原因?# `4 |, e- {* J* Z) r2 B2 `: P; c
先感謝啦!
13#
發表於 2009-3-6 22:17:43 | 只看該作者
不曉得您是不是問這個問題 - E, x5 I2 [- P# |" k# Z
3 E3 V/ W) E/ q
我們家有的產品 trim pad 是可以 bonding 出來的
$ u$ }3 e1 F! ]# \+ F' B: }$ {9 y; @: C- v* c2 \
也就是 bond pad 與 trim pad 是共用的$ V* m) S9 n7 E+ |; P
+ O. a. r' X1 S% U
[ 本帖最後由 redkerri 於 2009-3-6 10:20 PM 編輯 ]
14#
發表於 2009-3-10 21:27:17 | 只看該作者
CP 時請測試廠用氣吹一下正在trimming die,應該有幫助良率上升(要有開窗的poly fuse),9 b7 o0 L1 `6 b
還有其偵測電路也是一個問題,因poly fuse,trimming 之後,可能呈open有可能呈高阻,且高阻trimming 多次也無用.
15#
發表於 2014-1-10 10:34:57 | 只看該作者
回復 3# ssejack1 : ~% U( y  D3 w5 J

/ F7 H' R; B( ^9 o- g/ w$ H5 J( x- g
/ w0 d5 p1 X$ `    幫助不小, 謝謝!!
16#
發表於 2014-1-10 10:37:09 | 只看該作者
回復 4# kkk000777 $ S5 W  s% M; \. A1 W' f% @
* ]( U/ [2 T" r  W

8 Q$ k& }% x7 t    封裝前要烘乾一次........很好的資訊, 謝謝!!
17#
發表於 2022-11-1 16:12:28 | 只看該作者
谢谢,学习了!!!!!!!!!!!!!
18#
發表於 2023-11-3 01:55:53 | 只看該作者
kkk000777 發表於 2007-7-8 11:07 PM
0 A9 _0 ~- c& s& W" Jpoly fuse ...4 P4 p$ M7 K# x. i
我看到的fuse 很少有用poly fuse
" E; \. Y2 Q. C4 r' i' [通常是用metal fuse...

$ Z! a1 x: z  F' O2 ~2 V+ L$ x3 |! L# I6 M4 h$ z$ i3 R
4 u3 }( G1 w9 d& v* p7 {
很有用的經驗, 感謝分享..

# j; a& P! P5 x. L
19#
發表於 2023-11-3 01:56:26 | 只看該作者
Good question!
& q& B) @, c; k$ a# c. u( M
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