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[問題求助] 如何讓 current mirror 做的比較準確?

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1#
發表於 2007-7-3 09:16:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
4Chipcoin
當 current mirror 呈現 1:200 的放大倍率時,
2 G' U8 w7 q$ y, x且有 8 個 channel 時, 如何讓每一個的 channel mismatch 做的最小?
! a# a, B5 `9 Z因為  process 變異的關係, 所以這一部分的誤差還相當大!
/ ~& o8 ^+ {. Q/ s該如何避免?- ~) q6 I& S3 ^( [$ Z7 z( l! m! t
又  經過大電流  會產生高溫  此時的 current mirror 的倍率也變化相當大?
1 X' \3 c9 G8 E該如何克服?

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monkeybad + 5 值得探討的好問題!

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2#
發表於 2007-7-4 17:12:03 | 只看該作者
可以試試用casecode的方式
+ u0 p0 ]$ |) `4 R" G) C4 Q& P* a6 @
不過之後的layout才是重點核心的部分
% H2 D& N" K8 d$ n% P+ m; V- X
* z. \* Q; v7 W! r; ~& K; m

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monkeybad + 2 感謝經驗分享!

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3#
發表於 2007-7-4 23:18:32 | 只看該作者
1.可以先做1:10(或1:4,2:8)的 8channel match 這樣面積較小match效果好點
* C) w/ r: H& E5 G7 B" n2 R6 D   各channel再做1:20(1:50,2:100)
+ t+ X7 X$ I  A2.如果不考慮area,效果最好的是用calibration的方式,這須要用到電容及switch而電容大小會決定& B) {6 `5 r. _/ J& a( `+ f
   calibration cycle * f0 O' u; |- e# Z
3.每一顆mos DC 點都要一樣 那可能就要出動OP來鎖電壓啦!* L! E8 ~( {% J6 m( }" O
4.元件的L,W 也要選安全一點的range

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Good answer!  發表於 2022-8-22 03:59 PM

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monkeybad + 3 Good answer!
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4#
 樓主| 發表於 2007-7-5 09:17:56 | 只看該作者
1. 有想過一級級的轉!! 不過每轉一次!  就會有一次的誤差!! 如此的變動率會不會太高唷!!! l" D% i! Z: b- |9 r
2. 有考慮 trimming method!! 不過! 不太可能 trimming 8 channel! 只 trimming 最源頭!!2 y! t; v. R) J) e( E# v
3. 有看過類似的架構!! OP 的 offset 是不是要非常的小? 否則真的不知道影響程度為何唷!!
; \; ~6 X$ R- u& _3 ~7 f4. Cost/Performance ratio 真的很討厭!!  又要小!  又要準!  真的好困難唷!!!!
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5#
發表於 2007-7-27 17:48:13 | 只看該作者
先把八個channel做相互做match: I. ]6 p- v" p0 ^
再用一顆OP取其中一個channel電壓做鎖定
' v7 \/ G) }+ P& ^: z$ V9 c. K3 m0 ^
9 }* q& t! D; Q" n提供一點個人意見
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6#
發表於 2007-8-23 23:25:31 | 只看該作者
這個問題在 LED driver 會常常遇到
: F2 h. L: L0 @2 F) N
4 m8 o5 j. w2 Y5 _1 K. q/ D: C# x首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制' t7 f, M( X2 l0 |2 d: U
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知6 l& a) h* ^& ~  C
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]- q9 N4 p+ F* k2 X+ p" U' q6 P* O5 g
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制
! p; b" M) a# b; L; W另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力4 h- E" H+ F  w6 n  Q
並減短設定時間
( C7 \$ ]( Z& H5 W$ W
9 n1 |) }8 W6 t7 l8 D1 j& {5 Achannel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error1 b; j  u7 s4 {- _  f  ~
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題
+ m! a+ {/ p1 [$ w+ ~2 H
4 p" b0 d2 }! Q7 A至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,, ?% b; f% s, @$ a% ~/ W8 S
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)& e  U9 c8 P2 }& b

* h: @7 [* x) I. }; m2 S: c3 z5 c溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)
! q, B0 d4 }+ A( Y# o8 b; ^$ N這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小8 w9 W; T1 l  Q1 E
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,9 l2 v. a  {, g% v1 E) {* w; z% B' V
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,! k# K  f% F0 ?& ?
Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)! `) c, X& S4 W7 A3 @3 {! |
選用的 theta(j-a) 必須確保在* f! \% p; O  c) u" Q4 N
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree2 V& _/ S+ k" O* y  b
選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal

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7#
發表於 2009-5-1 14:08:48 | 只看該作者
除了電路設計解決外,  Layout亦是關鑑" f9 ~; j  f9 a/ U# v# `
8 u! r4 M5 r" a5 [& b+ N+ W
1. layout 單元化(Unit) 以此單元倍增減
9 P7 e) M6 d: h2. 元件W/L盡可能最大化 W>5um, L>3um或更大
  L9 {3 }- r4 y0 P- K$ h8 i+ a3. 多可善用匹配layout技巧, 如交叉, 對稱, Dummy...
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8#
發表於 2022-10-12 19:55:32 | 只看該作者
謝謝大大無私的分享,感恩
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