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這個問題在 LED driver 會常常遇到
: F2 h. L: L0 @2 F) N
4 m8 o5 j. w2 Y5 _1 K. q/ D: C# x首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制' t7 f, M( X2 l0 |2 d: U
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知6 l& a) h* ^& ~ C
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]- q9 N4 p+ F* k2 X+ p" U' q6 P* O5 g
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制
! p; b" M) a# b; L; W另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力4 h- E" H+ F w6 n Q
並減短設定時間
( C7 \$ ]( Z& H5 W$ W
9 n1 |) }8 W6 t7 l8 D1 j& {5 Achannel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error1 b; j u7 s4 {- _ f ~
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題
+ m! a+ {/ p1 [$ w+ ~2 H
4 p" b0 d2 }! Q7 A至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,, ?% b; f% s, @$ a% ~/ W8 S
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)& e U9 c8 P2 }& b
* h: @7 [* x) I. }; m2 S: c3 z5 c溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)
! q, B0 d4 }+ A( Y# o8 b; ^$ N這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小8 w9 W; T1 l Q1 E
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,9 l2 v. a {, g% v1 E) {* w; z% B' V
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,! k# K f% F0 ?& ?
Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)! `) c, X& S4 W7 A3 @3 {! |
選用的 theta(j-a) 必須確保在* f! \% p; O c) u" Q4 N
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree2 V& _/ S+ k" O* y b
選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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