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這個問題在 LED driver 會常常遇到
1 l+ @. T6 Z& W) D8 a' I' l, q# r& y4 E/ T
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制) R9 V( X. O; X: v) P1 p
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知, d6 Z& O& b6 g) w: j
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]
3 e6 O& ]* q) ?$ c1 i鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制
. v* z) T( [, a4 I8 d% ~/ I另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力0 A# N: d; ?% U8 B: S7 A" K/ n
並減短設定時間
3 T0 J% V5 s. B% | W3 d8 i( v6 c; y5 Y* M; u. v
channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error* U8 }5 o. V s, V3 @/ O
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題
( X3 s6 z4 q: J# S4 |8 c7 g0 Y6 E# x. T1 ]8 {5 _- E0 o
至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,2 ^! @; @6 M1 }4 m
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
r' k# I# w% M+ E% M* [ @5 P" ^- c9 ^! [- q! I4 X% N' U
溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)/ B, O* J) [/ K+ R4 L: c6 p
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小
' S2 x& J7 Y/ B5 M% I% n然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,
7 k, P7 L+ C0 P4 \% B, [在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,
/ i$ M5 m; I# O+ S, N6 gPtotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)5 |8 Y2 W5 l' i# T i
選用的 theta(j-a) 必須確保在2 @3 M9 E, x" R% }3 ~
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
6 P! K7 M2 G9 o: R/ ^3 C& ?+ ?選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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