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[問題求助] 如何讓 current mirror 做的比較準確?

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1#
發表於 2007-7-3 09:16:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
4Chipcoin
當 current mirror 呈現 1:200 的放大倍率時,
5 j; O6 Q  v" D/ `0 N9 F  }1 f且有 8 個 channel 時, 如何讓每一個的 channel mismatch 做的最小?# C  h' i. k' A9 ]/ [" Q# w" ?$ s
因為  process 變異的關係, 所以這一部分的誤差還相當大!" {' d) W+ I, R: C+ w
該如何避免?
/ h, |6 C7 L! o8 E* ?$ b1 W又  經過大電流  會產生高溫  此時的 current mirror 的倍率也變化相當大?
; m- ?3 n( o6 s) C$ }" `! Q該如何克服?

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monkeybad + 5 值得探討的好問題!

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2#
發表於 2007-7-4 17:12:03 | 只看該作者
可以試試用casecode的方式
! |' L" v* N. J. k+ L# J
3 g* B% p& k. f9 J3 A不過之後的layout才是重點核心的部分
- Z1 q9 c( _$ d4 B0 X. R; W$ z/ q( \) ]: z

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monkeybad + 2 感謝經驗分享!

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3#
發表於 2007-7-4 23:18:32 | 只看該作者
1.可以先做1:10(或1:4,2:8)的 8channel match 這樣面積較小match效果好點' w: E1 u' E" z' @& K
   各channel再做1:20(1:50,2:100)
# O) `4 `; g+ f* M: a2.如果不考慮area,效果最好的是用calibration的方式,這須要用到電容及switch而電容大小會決定
/ D: Y7 q( U2 u! w4 p# Y   calibration cycle
% d6 N/ g# c; E. w+ ~! w3.每一顆mos DC 點都要一樣 那可能就要出動OP來鎖電壓啦!
8 K$ s7 [( x* R: i4.元件的L,W 也要選安全一點的range

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Good answer!  發表於 2022-8-22 03:59 PM

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mt7344 + 5 Good answer!

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4#
 樓主| 發表於 2007-7-5 09:17:56 | 只看該作者
1. 有想過一級級的轉!! 不過每轉一次!  就會有一次的誤差!! 如此的變動率會不會太高唷!!( {. S) o0 M/ I$ k+ i* J
2. 有考慮 trimming method!! 不過! 不太可能 trimming 8 channel! 只 trimming 最源頭!!
0 D: D2 A2 Y( H$ R3 v3. 有看過類似的架構!! OP 的 offset 是不是要非常的小? 否則真的不知道影響程度為何唷!!
- t2 h% m! T& w) m+ g5 D4. Cost/Performance ratio 真的很討厭!!  又要小!  又要準!  真的好困難唷!!!!
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5#
發表於 2007-7-27 17:48:13 | 只看該作者
先把八個channel做相互做match
9 j, ]; L) d% P再用一顆OP取其中一個channel電壓做鎖定* ^1 j+ u* L) @( H6 n- a

: b* J; A6 y6 ]* {提供一點個人意見
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6#
發表於 2007-8-23 23:25:31 | 只看該作者
這個問題在 LED driver 會常常遇到
1 l+ @. T6 Z& W) D8 a' I' l, q# r& y4 E/ T
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制) R9 V( X. O; X: v) P1 p
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知, d6 Z& O& b6 g) w: j
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]
3 e6 O& ]* q) ?$ c1 i鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制
. v* z) T( [, a4 I8 d% ~/ I另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力0 A# N: d; ?% U8 B: S7 A" K/ n
並減短設定時間
3 T0 J% V5 s. B% |  W3 d8 i( v6 c; y5 Y* M; u. v
channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error* U8 }5 o. V  s, V3 @/ O
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題
( X3 s6 z4 q: J# S4 |8 c7 g0 Y6 E# x. T1 ]8 {5 _- E0 o
至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,2 ^! @; @6 M1 }4 m
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
  r' k# I# w% M+ E% M* [  @5 P" ^- c9 ^! [- q! I4 X% N' U
溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)/ B, O* J) [/ K+ R4 L: c6 p
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小
' S2 x& J7 Y/ B5 M% I% n然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,
7 k, P7 L+ C0 P4 \% B, [在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,
/ i$ M5 m; I# O+ S, N6 gPtotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)5 |8 Y2 W5 l' i# T  i
選用的 theta(j-a) 必須確保在2 @3 M9 E, x" R% }3 ~
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
6 P! K7 M2 G9 o: R/ ^3 C& ?+ ?選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal

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mt7344 + 5 Good answer!

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7#
發表於 2009-5-1 14:08:48 | 只看該作者
除了電路設計解決外,  Layout亦是關鑑; p8 v0 x6 ?. n7 H8 f  y; G
- H* `' A4 }$ R3 n4 L) m
1. layout 單元化(Unit) 以此單元倍增減
: E% N  |/ u  @+ x) M2. 元件W/L盡可能最大化 W>5um, L>3um或更大
! c9 I/ T; X6 G! p3. 多可善用匹配layout技巧, 如交叉, 對稱, Dummy...
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8#
發表於 2022-10-12 19:55:32 | 只看該作者
謝謝大大無私的分享,感恩
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