摘 要:採用TSMC 0 .1 8 μmCMOS 工藝實現了全差分相位差為450 的LC低相位噪聲環形壓控振蕩器電路。晶片面
7 }* W$ q" K0 f4 F積1 .05 mm×1 .00 mm。當僅對差分輸出振蕩信號的一端進行測試時,自由振蕩頻率為5 .81 GHz ,在5 MHz 頻偏處的
! ~" R5 U j3 B& R7 w% R相位噪聲為- 10 1 .62 dBc/Hz。
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