第一家針對手機市場推出pseudo SRAM的廠商

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富士通推出全新256Mbit Mobile FCRAM產品 完全符合COSMORAM Rev.4規格

! n8 m. r" K0 }! d富士通專有技術具備高速、低功耗 為手機提供最佳效能
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, q9 J" f5 u( M! _香港商富士通微電子有限公司台灣分公司今日宣佈推出全新Mobile 256Mbit FCRAMTM(快速循環隨機存取記憶體)。此款Mobile FCRAM採用富士通獨有的FCRAM核心技術，是一個擁有SRAM介面的虛擬靜態隨機記憶體(PSRAM)，具有高速運算及低功耗等優勢，適用於手機等各種手持式裝置之應用。
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此款型號為MB82DDS08314A的Mobile FCRAM採用DDR突發模式，完全符合Mobile RAM(COSMORAM) Revision 4*通用規格之要求，並具備以下特點：

, L# o: ?# {6 L" b! b; \) w2 K7 J    ◆  DDR同步突發模式
    ◆  多重位址/資料介面
    ◆  每秒最高可達1GByte的高速資料傳輸速度
5 a! |1 L+ F% F" P" O4 o2 o' e    ◆  短暫延遲模式能縮短最初存取時間
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5 M+ V& _; m4 _3 o* m; A富士通微電子市場總監莊健偉先生表示：「目前高階手機均需要具備如數位相機、數位攝影機和數位地面廣播串流等各種功能。因此，可以預見的是像Mobile FCRAM這種高密度、高運算速度及低功耗的記憶體產品，將成為未來手機市場中不可或缺的元件。富士通的FCRAM系列產品所提供的高速資料傳輸速率，可在目前既有的PSRAM平台上，提升手機中的各種功能。此外，此款全新MB82DDS08314A元件可藉由多重位址與資料匯流排，將元件針腳數降到最低，協助客戶省去複雜的機板設計。」

富士通是業界第一家針對手機市場推出pseudo SRAM的廠商，長期以來在建立或擴展市場規模方面貢獻卓越。為了滿足市場對高速記憶體的需求，富士通分別在2003年5月及8月陸續推出32Mbit/64Mbit與128Mbit的突發模式Mobile FCRAM系列產品。

8 V( B) y0 ^. w除了新款DDR突發模式的Mobile FCRAM，富士通也提供符合傳統COSMORAM Rev.3規格的256Mbit SDR Mobile FCRAM(型號為MB82DDS08314A)，為需要內建SDR PSRAM介面的高密度RAM的客戶，提供另一種解決方案。
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富士通將於2007年1月推出工程樣品，並於2007年4月起開始量產。兩種元件皆提供封裝產品，並具備晶片和晶圓兩種型態，以因應客戶需求。富士通微電子將會持續為各種客戶的獨特應用，提供最佳的記憶體解決方案。