关于BIPOLAR电路仿真问题

basil

一般我们在做MOS电路仿真时，器件主要参数就是W/L，而在
- Z! q0 c: [2 G: g8 U% Q& q做BIPOLAR电路仿真时，器件尺寸主要就是发射区的面积，
我们一般主要是看器件的发射区面积的比值，不同发射区面积
8 H' S& }/ p4 b  W6 u7 T  K- F- x，又不成比例，尤其是大功率管时，仿真很烦心，在后仿真时，
LPE提取出来的管子的发射区面积值是实际的版图所画面积，跟
: Y0 D0 j4 L1 K* v比值有点不同，仿真很麻烦，大家有什么好办法？

122013137

跟比值有点不同???????????????????????????????

pudandan

可以说得详细点吗？发射区面积的大小应该是有规格的！

basil

也就是在输入器件的参数，我是不是直接输入器件的实际发射极面积，
; f( m5 ^' u, W5 i如5×5＝25e-12
& v5 g  ~( n( s& b
另外,在设计功率管的均流电阻时，一般取多大值？
0 i- w$ v3 F% C0 t+ ]" q8 o
[ 本帖最後由 basil 於 2009-1-22 09:03 PM 編輯 ]

lewis339

不太了解您說的意思
: `' p- n; N1 i一般來說是依照所需流過的電流大小取BJT的值

ncLM

bipolar模型中器件发射区面积都是一定的，仿真时候器件参数里面填的是和所选择模型发射区面积的比值。后仿真的时候提取出的如果是真实的面积，那么可以考虑写成子电路形式，仍旧得到一个比值。