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原帖由 semico_ljj 於 2009-1-21 08:38 PM 發表 ( ]. u: n# c2 ~+ f& S! K, f u+ X
代工厂普遍采用“PNDIO + RC-GTNMOS”,不知为什么?当然还有只用Diode的。是不是这种结构最成熟稳定。
Q) l, v1 D/ C5 X8 O! x$ r; M5 b“gcmos的结果最弱”倒是不清楚,觉得gcmos开࡫ ... + w9 Z- A6 F, v
如果只用diode而沒有其他的power clamp, 那麼在打VDD PS mode 就需要透過diode 的reverse breakdown, 這樣的話ESD的抵抗能力一定會只有幾百伏左右.6 o0 S! h6 F: ?
/ V2 {9 x* m$ A/ p4 I' E15k 是IEC61000-4-2是system 上的ESD 要求
: S1 e N. }) Y$ f6 C) T1 gAir discharge 一般要+-15kV8 B# o$ [4 Q! T" a9 s+ k
Contact discharge 一般要+-8kV
3 K: N5 e* g9 v4 k9 l; l1 T這個跟JEDEC/ESDA 的HBM standard 是完全不同
0 P4 {4 C( n( J. m7 ^% ?5 j l* [6 m* f# i N, e6 x
[ 本帖最後由 ritafung 於 2009-1-22 11:06 AM 編輯 ] |
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