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原帖由 semico_ljj 於 2009-1-21 08:38 PM 發表
* }$ }) ^8 Y. z. g9 e) ]4 b' n代工厂普遍采用“PNDIO + RC-GTNMOS”,不知为什么?当然还有只用Diode的。是不是这种结构最成熟稳定。
+ i, B, l6 g( u [ |( t, s“gcmos的结果最弱”倒是不清楚,觉得gcmos开࡫ ... * v& ?! [: m; G
如果只用diode而沒有其他的power clamp, 那麼在打VDD PS mode 就需要透過diode 的reverse breakdown, 這樣的話ESD的抵抗能力一定會只有幾百伏左右.4 r# t0 K2 z+ ]5 u! P5 ?/ R
; B! C# j2 c+ s. f* o& p6 k
15k 是IEC61000-4-2是system 上的ESD 要求
% _+ l* x( k/ N$ ]% b' uAir discharge 一般要+-15kV
, G6 }# j# H- nContact discharge 一般要+-8kV
4 K j0 @3 Y+ k' N這個跟JEDEC/ESDA 的HBM standard 是完全不同0 \4 `# t% u! U& x/ v6 L
9 U2 M" T1 J6 B! K/ {* R- ] `[ 本帖最後由 ritafung 於 2009-1-22 11:06 AM 編輯 ] |
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