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原帖由 semico_ljj 於 2009-1-21 08:38 PM 發表
/ i% r$ P0 o4 b' c z( S% \- }. J代工厂普遍采用“PNDIO + RC-GTNMOS”,不知为什么?当然还有只用Diode的。是不是这种结构最成熟稳定。
, {& G& E, @4 Y% n# F+ i4 W3 u“gcmos的结果最弱”倒是不清楚,觉得gcmos开࡫ ... . a7 S$ R6 k' [- p: @- ?$ \
如果只用diode而沒有其他的power clamp, 那麼在打VDD PS mode 就需要透過diode 的reverse breakdown, 這樣的話ESD的抵抗能力一定會只有幾百伏左右.5 w; z G. D5 z$ @
' K4 k" W6 e5 b! \5 w
15k 是IEC61000-4-2是system 上的ESD 要求
7 A4 m+ W/ M- ]9 }& j' uAir discharge 一般要+-15kV
7 u0 d9 R- G! H( \4 `Contact discharge 一般要+-8kV
A7 x7 Q" ?8 o7 w, X4 O這個跟JEDEC/ESDA 的HBM standard 是完全不同
, y8 ^ ?5 {0 Q$ Z* G, P- Z" H, n& S' `
[ 本帖最後由 ritafung 於 2009-1-22 11:06 AM 編輯 ] |
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