請教 Band-gap BJT 如果 layout 不 match

yalon

有一問題想跟大大们請益??
如果是 bandgap 內bipolar layout 因製程變異; 導致silicon 上所見 並非如 cuicuit 上所建 1:8;
. v) E" C# Z3 ^& B0 P- Z( G1 Q  O
那麼在 silicon 上所見到的 reference voltage electric 特性會變怎樣.
' D: Z6 ]$ J/ g( R
歡迎大家發言...
謝謝
. i& b7 r8 x& U. m
" R! W! A/ U- P$ d1 J# K, @
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
* P  n( ?4 j4 m5 l3 Rbandgap無法將壓差降低  
9 U# W7 u/ h! i! hbandgap voltage reference?
8 Y" G8 \0 t7 T! V關於CMOS的正負Tc
6 t1 {$ h- ?2 r! W9 b( M) v# W如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
3 n7 _8 K: S1 f' n% O請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
3 X- u# o2 _+ O5 h& P; D' V* ~6 lbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
; R7 c( Y! D/ H. e: a
7 v, _, p+ W9 T+ n7 W8 b' @
* b/ T% j7 z/ l8 h
( I. ^3 J/ B% D  I2 E8 {0 v[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:54 PM 編輯 ]

semico_ljj

1：8的设计一般不会出问题的，倒是Res的matching倒是要注意

yalon

Dear S 大:
怎樣說 為何通常 bjt 不會有大問題 ?
例如 九公格內的單一unit 是 1umx1um 好 還是 10umx10um 好 ??
) K2 n5 e1 p& R7 q
如果沒選好 ....影響有多大 ???
! i0 `( T: ~% Y+ B% [% a4 H這能用 monte carole 來仿看看嗎 ??

多謝.
. W! ?- l/ ^! t; c$ J

finster

我個人都是選10x10的BJT
以前我們曾從HSPICE Model來看,發覺到10X10在溫度係數上相較於其他size是比較穩的,不過,各家製程廠不見得都會是這種情況,所以,必需以各家所提供的HSICE model比較後才會知道
至於1:8,若沒有照九宮格的layout排法,在製程上是不會有問題,但出現的performance可能會有一些小問題,但影響多大,其實很難說,畢竟T公司的技術比起其他三級的製程廠技術來說,這些小地方就決定了T公司的價值存在,有些三級製程廠所提供的HSPICE model還不見得很準,有時還得下test key來驗證一下它的HSPICE model的準確性
至於monte carole能不能模擬出來看,當然有辦法模擬,但成效如何,其實還是得看製程廠的技術和提供的model

semico_ljj

是的，一般Foundry提供 5×5的；10×10的；20×20的。实际可以看情况！取10×10的是面积和精度的折衷！

異星人

我曾經下過顆包含BJT的Bandgap電路

# n: O9 ^+ K, ^- {4 j只是測量晶片時

% p: _" O' b& a) z5 tperformce降低相當多啊

而且BJT有match到

" f3 O) R) o2 C# R, Q1 M你可以注意BJT Bandgap是否相當的關鍵重要

再去考量電路的Layout架構

erdong2000cn

match对电路影响比较大，如果要降低噪声的话，需要选择较大的bjt，我们选的一般是10×10

semico_ljj

Area 越大，matching 越好

liangshangquan

5×5和10×10在面積上當然10*10的match更好，REF的離散性更好，另外由於E面積的區別，會造成BJT的vbe有所差別

nesty.tseng

我的看法是...如果你需要很準的reference電壓
2 R* N! ]9 a4 I; }光想靠layout matching是很難的
0 q; N0 S3 J/ u* y8 F6 x多準備一些trim吧
基本上1:8已經是ok了
重要的是你R的layout跟type

gimayon

有種 疊2層 pnp 的 bandgap 架構
* E& z" Y3 C5 I) P. x/ x
/ X6 M2 {, K6 e; z' ?/ f2 k( n有高人說對製程偏移影響較小

- w' R7 j/ ^- J可惜我只看過 run過  沒實際下ic回來測試過...

dyjguilin

其实可以通过仿真大致的确定一下影响
不同结构的BG对器件的敏感度是不一样的，可能BJT的变化并无太大影响，也可能有毁坏性的作用
仿真中一般有dc sense仿真（好像主流的仿真工具都有）
# N9 c+ W' ~' P. b- }5 F尝试调试一下期间的参数变化（需要design rule和fab库文件的支持），看看那些器件对BG影响最大

guang3000

我们公司的bandgap不用trimming , 加上一个电压跟随器（测量用）， 电压变化是正负40mv , 架构还没完全看明白，这个bandgap性能到底如何呢？

u8912017

如果是我的話我也是會選擇使用 10 x 10 的 BJT

原因無他…因為layout area比較大，所以gain到的 delta offset也會比較小
, n+ B+ d  ]2 ^6 |
  N: u# s+ |) ^* O$ w另外，bandgap的分壓電阻我到是覺得還好…因為他是ratio式的

: P! K# |+ I5 u5 h所以即使process飄掉的話也是一起飄向同一邊！！！

jesseyu

The area of emitter will have mismatch and is proportional to the BJT size, thus bigger is better. Also, the bigger the area is , the less sensitive it will be to the current injected.

donothing

回復 13# guang3000
  B' U# l* a2 b6 b# }
: X7 T5 C9 W; \# C! `& p" G    請問一下   在 Bandgap後加一級的 op buffer , 量出來 40 mV 是一堆 IC的量測值吧

! I9 k/ D) A: Z$ O! V    這樣子不是會把 每個 op 的 offset 也包含進來了嗎 ?

7 U- i6 ^4 S" y, g$ x6 i% E. J  r    有的剛好與 BG 正負相抵, 有的剛好累加, 還是我的解讀有錯呢?

2008ql

回復 2# semico_ljj

! B: G/ h4 D5 i. U8 V
dear semico_ljj，
我現在做bandgap reference,覺得連接電阻的metal,以及電阻到地的metal對reference輸出的溫飄有較大影響。請問以您的經驗，這種影響大嗎，有什麽改進的措施嗎？
1 ?$ j& o4 N- a" \9 J+ O! v, [還有從postsim的結果推斷，地電位應該是向上飄了，有這種可能嗎？
* ?& x  j$ Z* Z% S' l0 D能具體介紹一下您說的電阻匹配嗎？
  z, q6 d- D7 z" [7 Z/ ?  q$ H% g謝謝！
也請其他各位高手指教！

jsp0520

相同面積下我再公司作通常會選能畫到16或25顆的尺寸(2X2, 5X5, 10X10)
* ?, w- G& g+ S- z/ U! x8 V% q科數越多OP_OFFSET影響越小