跨moat的影響

ajiune

Dear 大大，
9 f& Z+ z% {. ^2 B# U1 M麻煩你們，
我是EMC的新手，目前有些問題想請各大大們幫我解答或是提出看法，如下:
9 x+ R2 m4 x6 |- O- n0 C# e
9 o9 }& i+ w$ t8 U1.跨moat，對ESD會有影響嗎? 影響多大?
( I5 O3 \# M% @8 G7 o) h$ ?2.走線換層，算是跨moat嗎?
# Y0 M7 w6 b8 m/ i% ]0 |3.走線換層對EMI會有影響嗎? 那與跨moat對EMI的影響比較，何者影響較大?
4.CPU與北橋，reference GND layer 對ESD有何影響?
5.南橋出pin於B+與5V，對EMI與ESD的影響?

麻煩大大們，針對以上5點，幫我解惑。

% x4 b- u/ l) u! s' d: a9 b謝謝你們，感激!!!

flypigduncan

1.跨moat，對ESD會有影響嗎? 影響多大?
# R3 R3 @: W, t5 P  m4 k( e有IEEE的論文證明當trace跨moat的確會造成位準很大的浮動
2.走線換層，算是跨moat嗎?
7 z( Q8 A( a& O+ d( y' g只要能確保電流迴轉路徑最短的情況下是可行的
5 `0 v9 K" ^' f, }6 \3.走線換層對EMI會有影響嗎? 那與跨moat對EMI的影響比較，何者影響較大?
; o% l, _" J) n4 Z7 G1 ^跨moat影響最大,因為迴路造成的天線效應無法預測
& \$ f0 Z7 e4 L- v4 j4.CPU與北橋，reference GND layer 對ESD有何影響?
& l- q4 V; y! s. o: @" creference GND layer較能控制位準的誤差
8 [1 I( u; w& D+ o, T) q& h1 O! n6 l5.南橋出pin於B+與5V，對EMI與ESD的影響?
對ESD還好,對EMI可能使電流回流路徑經由電源回流造成很大的天線效應

ajiune

Dear flypigduncan:
* Q! u- H: j9 L/ v
7 [, X6 r% A  T謝謝你的回答!!
對我很有幫助，謝謝^^

jackie0888

一切都是zero  應該符合KVL and KCL

mic29

版主的問題似乎包含ESD與EMI兩方面，所以要小心回答
1. MOAT若將ESD敏感元件隔離，應該對ESD是好的，但對EMI則不良
2. 走線換層不算跨MOAT，但仍須注意迴返路徑，故應儘量避免
0 h. E; w- M4 x1 }* k( R0 S. L7 Z& y5 z3. 走線不可跨MOAT，除非確定有做好相對措施，換層影響較小

alienwarejian

版主的問題似乎包含ESD與EMI兩方面，所以要小心回答