跨moat的影響

ajiune

Dear 大大，
' n1 g0 V% ?" {5 {麻煩你們，
我是EMC的新手，目前有些問題想請各大大們幫我解答或是提出看法，如下:
) T+ j4 j* D) ~' G# |2 \5 u8 N& T. B5 V! N
1.跨moat，對ESD會有影響嗎? 影響多大?
2.走線換層，算是跨moat嗎?
9 ]2 @- m$ I0 P9 e3.走線換層對EMI會有影響嗎? 那與跨moat對EMI的影響比較，何者影響較大?
4.CPU與北橋，reference GND layer 對ESD有何影響?
5.南橋出pin於B+與5V，對EMI與ESD的影響?
1 i& N4 q4 e, y+ R
麻煩大大們，針對以上5點，幫我解惑。

謝謝你們，感激!!!

flypigduncan

1.跨moat，對ESD會有影響嗎? 影響多大?
- C% Y% Z" v0 ^; W0 k, j有IEEE的論文證明當trace跨moat的確會造成位準很大的浮動
2 A: M' `1 o2 I* J2.走線換層，算是跨moat嗎?
只要能確保電流迴轉路徑最短的情況下是可行的
( [1 V, _+ J6 |+ I" r# G( e3.走線換層對EMI會有影響嗎? 那與跨moat對EMI的影響比較，何者影響較大?
$ e. @+ @/ I0 V跨moat影響最大,因為迴路造成的天線效應無法預測
; h# k! L" C/ H$ m! l5 Q" X4.CPU與北橋，reference GND layer 對ESD有何影響?
) L* X1 S) y/ @- d( l1 P/ e0 vreference GND layer較能控制位準的誤差
) l' {% W5 m3 L0 _5.南橋出pin於B+與5V，對EMI與ESD的影響?
對ESD還好,對EMI可能使電流回流路徑經由電源回流造成很大的天線效應

ajiune

Dear flypigduncan:

謝謝你的回答!!
對我很有幫助，謝謝^^

jackie0888

一切都是zero  應該符合KVL and KCL

mic29

版主的問題似乎包含ESD與EMI兩方面，所以要小心回答
3 Y& L; Z6 r" g; h& Q, X! X1. MOAT若將ESD敏感元件隔離，應該對ESD是好的，但對EMI則不良
2. 走線換層不算跨MOAT，但仍須注意迴返路徑，故應儘量避免
3. 走線不可跨MOAT，除非確定有做好相對措施，換層影響較小

alienwarejian

版主的問題似乎包含ESD與EMI兩方面，所以要小心回答