跨moat的影響

ajiune

Dear 大大，
4 S; J/ o/ h5 D% F; R麻煩你們，
' l2 \  p+ b8 d' E$ z' @# w  O我是EMC的新手，目前有些問題想請各大大們幫我解答或是提出看法，如下:
5 X! l/ r% O  K! C7 p* q8 V0 I
7 r  N0 H' |" |+ H. w1 L: p1.跨moat，對ESD會有影響嗎? 影響多大?
- F' p# Z( h, \4 \2.走線換層，算是跨moat嗎?
' `9 Y2 C- A+ K3.走線換層對EMI會有影響嗎? 那與跨moat對EMI的影響比較，何者影響較大?
4.CPU與北橋，reference GND layer 對ESD有何影響?
5.南橋出pin於B+與5V，對EMI與ESD的影響?
% k7 f! u: U- G/ s: S& Y/ _
( m' @) h5 }4 B麻煩大大們，針對以上5點，幫我解惑。
8 o! p& f& V/ Z( `
謝謝你們，感激!!!

flypigduncan

1.跨moat，對ESD會有影響嗎? 影響多大?
- C: z  `, Q6 E6 ^2 R有IEEE的論文證明當trace跨moat的確會造成位準很大的浮動
2.走線換層，算是跨moat嗎?
只要能確保電流迴轉路徑最短的情況下是可行的
3.走線換層對EMI會有影響嗎? 那與跨moat對EMI的影響比較，何者影響較大?
# W5 t! u) C6 R% D3 H9 Y( `; e跨moat影響最大,因為迴路造成的天線效應無法預測
8 z1 p0 L: B2 i, o4.CPU與北橋，reference GND layer 對ESD有何影響?
: F. x/ H! w6 \% o4 Q% _9 X# Yreference GND layer較能控制位準的誤差
5.南橋出pin於B+與5V，對EMI與ESD的影響?
) b; {8 G! T8 S" F  V0 a1 B對ESD還好,對EMI可能使電流回流路徑經由電源回流造成很大的天線效應

ajiune

Dear flypigduncan:

4 A3 F8 R: W4 q4 V7 }謝謝你的回答!!
. i' ?5 L4 R! Q7 e對我很有幫助，謝謝^^

jackie0888

一切都是zero  應該符合KVL and KCL

mic29

版主的問題似乎包含ESD與EMI兩方面，所以要小心回答
2 K. P! K# e/ u! ]1. MOAT若將ESD敏感元件隔離，應該對ESD是好的，但對EMI則不良
2. 走線換層不算跨MOAT，但仍須注意迴返路徑，故應儘量避免
3. 走線不可跨MOAT，除非確定有做好相對措施，換層影響較小

alienwarejian

版主的問題似乎包含ESD與EMI兩方面，所以要小心回答