請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？

hyseresis

請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
9 S* Q6 W5 ?5 f9 T% W8 Z& v( o就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？
有純MOS的ESD嗎？？
+ P2 B, D' ?4 n+ q- |設計上有何重要的技巧？？
請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？
請高手幫忙解答？小弟正在學習esd有很多不懂得,謝謝

semico_ljj

很多都是用“純MOS做的ESD”，只是防护时开启泻放电流的是其寄生的三极管！

semico_ljj

"請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義？？"
好像没啥具体意义，符合设计规则就可以了！
ESD设计时要考虑 contect to gate space！！！

hyseresis

感謝副版主,那請問contect to gate space在設計上有要注意的地方嗎?或是有何設計規則?
感謝

semico_ljj

一般要比普通设计规则要大几倍，代工厂一般会有推荐值，之间也会有不同，具体可以参考设计规则文档！

andyjackcao

原帖由 hyseresis 於 2008-11-24 15:16 發表
$ |: P* ^5 f+ b# v請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？
0 P$ D" D: {1 k$ g- J6 A( T: e
6 p8 x9 q% |: t請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？
請高手幫 ...

: z8 d( C7 R' q8 P9 a
3 v) z, K* e$ N9 m3 b; M+ ~4 O5 e; x我是这样理解的
contact to contact距離可以决定本身MOS管的ESD性能；
会影响MOS泻放电流的均匀性和散热效果
晶圆厂给的尺寸，一般是经过验证，比较可靠

jian1712

contact to contact spacing is a minimum spacing，drain contact to gate spacing may layout with >3um

ritafung

如果有用SAB (亦稱為RPO),contact to contact spacing 可以是minimum rule
7 e" v) G  \, y但如果沒有的話,可以增加contact to contact spacing 而達到ballast resistance的效果.

werx

通常只要遵守Foundry場的ESD design rule畫layout的話，ESD基本上應該都沒什麼問題
9 X4 ]: t0 ~; H7 T* ~因為他們自己開出來的製程都會先自己作實驗
至於con to con的意義呢？
在IO MOS上當然是能塞幾個就塞幾個
因為ESD電流來時又大又快
CON越多路徑阻值越小一點
$ P: |5 ?8 c8 V/ A% M9 X- i所以CON TO CON通常取MIN.
" O9 P3 i' m4 J  O. g
小弟才淺

semico_ljj

“所以CON TO CON通常取MIN”，right！

averyer

謝謝大大的分享~更加了解esd的重要性

finster

一般來說,在output PAD的ESD, contact能夠多打就多打,因為這個樣子可以降低從source to drain的阻值,這是以電路的角度來看
1 y2 e/ ?5 t5 V: w1 O; ~而對ESD而言,它所在意的並不是contact to contact的距離,而是poly to drain的距離,這是因為在測ESD時,我們希望ESD的瞬間電流或者電壓從power clamp或者ESD device來排掉,而不是走output PAD的path,因為本身的output PAD並沒有足夠大的面積來排掉這麼大的ESD電流,故而,poly to drain距離會比一般的device來的大一些,主要是增加poly to drain的阻值,如此一來在測ESD時,ESD電流大部份會藉由power clamp以及ESD device來排掉,部份則由output PAD來排掉

tuza2000

说的好
2 o9 q" D9 C# j" i, Z  {
1 Q7 o" q' ], v  Y0 Z
* q$ W5 y& Z4 o( R& s6 ~$ R* m！！！！！！！

wangdali163

poly to drain的距离，是增加电阻，让寄生三极管均匀打开。