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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › ESD/EMI/EMC討論區 › 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？ ...
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[問題求助] 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？

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1#
發表於 2008-11-24 15:16:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？9 V# g4 q% Q, u  Y" M) {
就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？
0 |! d3 ?1 |" f- ]4 T& Y有純MOS的ESD嗎？？
& F7 L# ^: D2 f+ g7 b) e設計上有何重要的技巧？？+ d) t/ r& b" ~- v( v! _1 f, s
請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？  U# H/ a* Y4 j  b
請高手幫忙解答？小弟正在學習esd有很多不懂得,謝謝

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2#
發表於 2008-11-24 22:48:41 | 只看該作者
很多都是用“純MOS做的ESD”，只是防护时开启泻放电流的是其寄生的三极管！
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3#
發表於 2008-11-24 23:14:50 | 只看該作者
"請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義？？"
) s( j! n; s+ o5 k( |+ k8 w好像没啥具体意义，符合设计规则就可以了！8 X. m* _  {4 I1 G+ _4 H) S% N; w
ESD设计时要考虑 contect to gate space！！！

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4#
 樓主| 發表於 2008-11-25 09:19:10 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

感謝副版主,那請問contect to gate space在設計上有要注意的地方嗎?或是有何設計規則?
5 r- q' X) W7 B0 Y$ ~. @5 [感謝
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5#
發表於 2008-11-25 13:58:21 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一般要比普通设计规则要大几倍，代工厂一般会有推荐值，之间也会有不同，具体可以参考设计规则文档！
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6#
發表於 2008-12-2 21:41:40 | 只看該作者
原帖由 hyseresis 於 2008-11-24 15:16 發表
; d, M7 Z6 V" j9 E' o0 V請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？6 e6 a1 @3 \: C+ ~2 O
就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？) d7 j1 r* w2 O& v2 t

/ k+ L: h1 a5 B6 O$ R' U" Z請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？
4 m6 C0 n" n$ s7 C8 o請高手幫 ...
5 m8 ~  g! i$ Q+ D. u$ {8 N4 R

4 H+ L$ H6 Q3 P5 b: l我是这样理解的
' z2 o: K4 Q( Bcontact to contact距離可以决定本身MOS管的ESD性能；
4 ?7 b* _4 x4 [会影响MOS泻放电流的均匀性和散热效果; z* ^0 }) W6 w. _7 }6 b* F1 f
晶圆厂给的尺寸，一般是经过验证，比较可靠
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7#
發表於 2008-12-11 12:01:12 | 只看該作者
contact to contact spacing is a minimum spacing，drain contact to gate spacing may layout with >3um
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wph123
8#
發表於 2009-3-24 01:50:12 | 只看該作者
提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽
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9#
發表於 2009-3-25 10:41:07 | 只看該作者
如果有用SAB (亦稱為RPO),contact to contact spacing 可以是minimum rule
. b$ [/ c' l& A但如果沒有的話,可以增加contact to contact spacing 而達到ballast resistance的效果.
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werx
10#
發表於 2009-7-26 21:54:42 | 只看該作者

小弟才淺

通常只要遵守Foundry場的ESD design rule畫layout的話，ESD基本上應該都沒什麼問題! a" |* j$ s% b
因為他們自己開出來的製程都會先自己作實驗  k' C& s: p& y! {  T* e' G2 m
至於con to con的意義呢？* r: {6 C$ ?6 h1 l9 u) Y
在IO MOS上當然是能塞幾個就塞幾個
4 y% e, \, T. F7 H2 a8 C因為ESD電流來時又大又快7 h/ Y" m- ]3 s% P5 e0 x
CON越多路徑阻值越小一點  ]( E; `1 c9 S1 u3 T
所以CON TO CON通常取MIN.* i+ J" u+ T+ ~6 ~9 w5 s7 L
3 c, C; \5 C8 @! ^7 K- |3 f5 T
小弟才淺
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11#
發表於 2009-7-27 08:46:08 | 只看該作者
“所以CON TO CON通常取MIN”，right！
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averyer
12#
發表於 2010-5-27 10:58:00 | 只看該作者
謝謝大大的分享~更加了解esd的重要性
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finster
13#
發表於 2010-5-29 20:24:51 | 只看該作者
一般來說,在output PAD的ESD, contact能夠多打就多打,因為這個樣子可以降低從source to drain的阻值,這是以電路的角度來看
7 g/ Z/ r: s0 @# v7 I' U: W而對ESD而言,它所在意的並不是contact to contact的距離,而是poly to drain的距離,這是因為在測ESD時,我們希望ESD的瞬間電流或者電壓從power clamp或者ESD device來排掉,而不是走output PAD的path,因為本身的output PAD並沒有足夠大的面積來排掉這麼大的ESD電流,故而,poly to drain距離會比一般的device來的大一些,主要是增加poly to drain的阻值,如此一來在測ESD時,ESD電流大部份會藉由power clamp以及ESD device來排掉,部份則由output PAD來排掉
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14#
發表於 2012-7-12 13:18:29 | 只看該作者
说的好$ r, t: C+ \# k" W5 z, \9 e$ r
) s2 S- \5 _3 H7 f. F
2 \3 V, R. U! o! j3 ]+ m2 q
！！！！！！！
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15#
發表於 2013-8-16 15:53:07 | 只看該作者
poly to drain的距离，是增加电阻，让寄生三极管均匀打开。
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