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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › ESD/EMI/EMC討論區 › 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？ ...
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[問題求助] 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？

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1#
發表於 2008-11-24 15:16:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
, T0 }! u9 v+ a2 [0 g就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？3 I4 X/ w3 ]/ N; d/ I6 w8 t( j
有純MOS的ESD嗎？？
8 s; D, w, Y7 D- @% M設計上有何重要的技巧？？
9 Z/ @' K" Y( g% H請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？4 V5 B% S2 {2 h* u, J
請高手幫忙解答？小弟正在學習esd有很多不懂得,謝謝

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2#
發表於 2008-11-24 22:48:41 | 只看該作者
很多都是用“純MOS做的ESD”，只是防护时开启泻放电流的是其寄生的三极管！
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3#
發表於 2008-11-24 23:14:50 | 只看該作者
"請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義？？"
; q3 g1 k% a3 I4 t1 M* R, s* i好像没啥具体意义，符合设计规则就可以了！
5 j* F  y: f# JESD设计时要考虑 contect to gate space！！！

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4#
 樓主| 發表於 2008-11-25 09:19:10 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

感謝副版主,那請問contect to gate space在設計上有要注意的地方嗎?或是有何設計規則?
5 m2 O3 M$ J! W% l* ]( w感謝
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5#
發表於 2008-11-25 13:58:21 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一般要比普通设计规则要大几倍，代工厂一般会有推荐值，之间也会有不同，具体可以参考设计规则文档！
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6#
發表於 2008-12-2 21:41:40 | 只看該作者
原帖由 hyseresis 於 2008-11-24 15:16 發表 + z; F; R5 d' R. F1 o* c
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
4 N5 U, G: c+ _' q  M, f就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？
1 k) m" l9 i- D# k6 }/ y
( c; W1 `4 u7 v  p( `: M1 G6 T請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？/ {3 ~- V5 y0 s  W5 I# j/ r
請高手幫 ...

, v; K1 O$ Z# A3 q
% e/ S6 ~: x8 z6 k" ?7 }8 j! w我是这样理解的
" V" y2 g9 x6 y' d  @/ b( h/ H+ R  Vcontact to contact距離可以决定本身MOS管的ESD性能；
  s# |+ @0 {+ H. O: X* _: Z0 M' j会影响MOS泻放电流的均匀性和散热效果
; j. ]; f; @( Y6 c晶圆厂给的尺寸，一般是经过验证，比较可靠
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7#
發表於 2008-12-11 12:01:12 | 只看該作者
contact to contact spacing is a minimum spacing，drain contact to gate spacing may layout with >3um
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wph123
8#
發表於 2009-3-24 01:50:12 | 只看該作者
提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽
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9#
發表於 2009-3-25 10:41:07 | 只看該作者
如果有用SAB (亦稱為RPO),contact to contact spacing 可以是minimum rule
, m! l- o* S9 J但如果沒有的話,可以增加contact to contact spacing 而達到ballast resistance的效果.
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werx
10#
發表於 2009-7-26 21:54:42 | 只看該作者

小弟才淺

通常只要遵守Foundry場的ESD design rule畫layout的話，ESD基本上應該都沒什麼問題9 B% a+ n# x! _6 B
因為他們自己開出來的製程都會先自己作實驗- G( g3 @2 r, C! t+ f
至於con to con的意義呢？' N1 m" U6 s! M/ g$ d/ A
在IO MOS上當然是能塞幾個就塞幾個
3 V; _" W* N, |* ~因為ESD電流來時又大又快# i8 }  `- {  J$ V* d/ z
CON越多路徑阻值越小一點$ C0 G+ n* Y, A' O7 e# q* J
所以CON TO CON通常取MIN.1 M* Z) B4 z8 L7 p( ^) m# ]

2 f, x( c8 y  W/ |* t( `小弟才淺
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11#
發表於 2009-7-27 08:46:08 | 只看該作者
“所以CON TO CON通常取MIN”，right！
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averyer
12#
發表於 2010-5-27 10:58:00 | 只看該作者
謝謝大大的分享~更加了解esd的重要性
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finster
13#
發表於 2010-5-29 20:24:51 | 只看該作者
一般來說,在output PAD的ESD, contact能夠多打就多打,因為這個樣子可以降低從source to drain的阻值,這是以電路的角度來看) _1 v3 W/ t: n  n- [7 T
而對ESD而言,它所在意的並不是contact to contact的距離,而是poly to drain的距離,這是因為在測ESD時,我們希望ESD的瞬間電流或者電壓從power clamp或者ESD device來排掉,而不是走output PAD的path,因為本身的output PAD並沒有足夠大的面積來排掉這麼大的ESD電流,故而,poly to drain距離會比一般的device來的大一些,主要是增加poly to drain的阻值,如此一來在測ESD時,ESD電流大部份會藉由power clamp以及ESD device來排掉,部份則由output PAD來排掉
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14#
發表於 2012-7-12 13:18:29 | 只看該作者
说的好
7 Q  c' C& G3 v* y2 F* i) U0 I5 S/ c( Y' K7 L# T# W8 w- c5 R

' h  I9 p4 ]: A6 I. O- ~！！！！！！！
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15#
發表於 2013-8-16 15:53:07 | 只看該作者
poly to drain的距离，是增加电阻，让寄生三极管均匀打开。
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