請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？

hyseresis

請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？
9 b+ Y3 F' A! b  J6 |/ h# P; J有純MOS的ESD嗎？？
設計上有何重要的技巧？？
6 S: d1 f. P0 J" f/ C' C請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？
7 m1 o3 w+ `5 K請高手幫忙解答？小弟正在學習esd有很多不懂得,謝謝

wangdali163

poly to drain的距离，是增加电阻，让寄生三极管均匀打开。

tuza2000

说的好
# d" J! H" e1 E% M6 \, _
* i! B0 x4 i: F8 X( N
- y: K5 W# N$ b8 B: k4 {& L9 b！！！！！！！

finster

一般來說,在output PAD的ESD, contact能夠多打就多打,因為這個樣子可以降低從source to drain的阻值,這是以電路的角度來看
1 z4 |* A! C1 z7 q6 p+ _% j/ P而對ESD而言,它所在意的並不是contact to contact的距離,而是poly to drain的距離,這是因為在測ESD時,我們希望ESD的瞬間電流或者電壓從power clamp或者ESD device來排掉,而不是走output PAD的path,因為本身的output PAD並沒有足夠大的面積來排掉這麼大的ESD電流,故而,poly to drain距離會比一般的device來的大一些,主要是增加poly to drain的阻值,如此一來在測ESD時,ESD電流大部份會藉由power clamp以及ESD device來排掉,部份則由output PAD來排掉

averyer

謝謝大大的分享~更加了解esd的重要性

semico_ljj

“所以CON TO CON通常取MIN”，right！

werx

通常只要遵守Foundry場的ESD design rule畫layout的話，ESD基本上應該都沒什麼問題
0 ?! C4 G$ `7 g因為他們自己開出來的製程都會先自己作實驗
6 T1 u' X4 j5 [$ Y- J6 _! E: b5 m至於con to con的意義呢？
在IO MOS上當然是能塞幾個就塞幾個
3 i. X. ^( s5 N' j' P因為ESD電流來時又大又快
* K" k/ K" U7 r  m% G9 T% O/ q. ]7 jCON越多路徑阻值越小一點
; p8 Y+ ~; b+ U4 G0 ^所以CON TO CON通常取MIN.

, ?: o9 _1 p/ b2 b, y8 z3 I5 R9 `0 r小弟才淺

ritafung

如果有用SAB (亦稱為RPO),contact to contact spacing 可以是minimum rule
但如果沒有的話,可以增加contact to contact spacing 而達到ballast resistance的效果.

jian1712

contact to contact spacing is a minimum spacing，drain contact to gate spacing may layout with >3um

andyjackcao

原帖由 hyseresis 於 2008-11-24 15:16 發表
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
0 s- B4 ~' }; S% M6 X1 v. l: y就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？
8 J/ E3 G+ f3 D( S5 {  h' ^4 z
8 A" }& a' Q, a0 [( ?請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？
, M3 H4 f# p# o) P( ~請高手幫 ...

我是这样理解的
; O, q) q6 j# c4 F4 mcontact to contact距離可以决定本身MOS管的ESD性能；
% b$ T* @0 k) o* V- B2 A0 [1 n5 O会影响MOS泻放电流的均匀性和散热效果
晶圆厂给的尺寸，一般是经过验证，比较可靠

semico_ljj

一般要比普通设计规则要大几倍，代工厂一般会有推荐值，之间也会有不同，具体可以参考设计规则文档！

hyseresis

感謝副版主,那請問contect to gate space在設計上有要注意的地方嗎?或是有何設計規則?
: I( S1 D) X! n' ~! _- p) a感謝

semico_ljj

"請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義？？"
8 j3 Z9 c, W, R好像没啥具体意义，符合设计规则就可以了！
/ _6 w6 ~5 ^; \- u2 i/ nESD设计时要考虑 contect to gate space！！！

semico_ljj

很多都是用“純MOS做的ESD”，只是防护时开启泻放电流的是其寄生的三极管！