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[問題求助] LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)

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1#
發表於 2008-11-14 12:06:27 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)
3 T6 c3 {9 ~( h2 h5 _0 u1 r4 x
- u# N) l. K# G- t, l想請問一下,在LDO或是DC-DC都有回授電阻來分壓0 k, r1 t' k/ F

& t% u- [7 t6 @2 n% \! {這些分壓電阻大小有什麼影響嗎?還是等比例就OK呢?
" o% m% H+ [4 j2 L7 ?# T6 m
3 _( l- w  V& J* U- AEX:   R1=200K     R2=100K 和  R1=20K    R2=10K的差異,分壓出來電壓都一樣,那到底如何選用呢?
$ H8 y  U5 M+ R+ [+ R% b: E* P# o4 D/ F6 Q& J
以下是 LDO 的相關討論:# q6 H8 ]! z/ o/ s  S
Low Drop-Out Voltage Regulators & Y$ I5 Y7 Q0 j' d8 i
Rincón-Mora 《Analog IC Design with LDOs》
% @0 V2 D- a# APMOS Low_Dropout Voltage Regulator Introduction
  k  @, o' `+ lLCD Driver 設計術語簡介[Chip123月刊資料]
+ ?# ^) j. Z( ~9 m) G  `The evolution of voltage regulators with focus on LDO[NS講義]4 E4 P' c, r" z' h& M7 L
Design of High-Performance Voltage Regulators2 n& t- _- L  |/ g: |. p; ^* \
请教有关LDO的问题
3 d) F" v6 x( P9 B" H3 v; b3 J8 q7 b9 `% z  V

3 z: k. x, H" i! f- q4 W$ |; n# @% L8 M! N5 G9 ]9 D4 D
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-5-14 11:33 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2008-11-14 13:25:08 | 只看該作者
应该是越大越ok,当然也要在同一个数量级上,这点可以从一些产品的datasheet上看出来,7 B$ c6 Z" ~  `% T, x
在spec中一般会有IFB current 这一项。。。
: `$ \, t5 Q- x* n' b/ U$ M+ q其实,你可以这么看,
; P3 ]9 a1 M5 ]feedback电阻和你的output loading是并联在一起的,为了使output得到更大的功率(电流)同时尽可能的减小对你的output loading current精度的影响,要得到100ma就是100ma,而不小于100ma,所以,你的feedback电阻这条支路的电流就要尽可能的小,所以选大的反馈电阻。。。一般IFB current在ua量级。。。。
2 C" M' L* X) n; i有兴趣加我msn,大家交流交流:baggiodong1982@live.com
! s6 a/ f* J6 R, Q& v
! w6 ]) p" ~# z& f& P  k[ 本帖最後由 baggio 於 2008-11-14 01:27 PM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-11-14 15:36:41 | 只看該作者
那分壓電阻有VIN到VFB的R1   和   VFB到GND的R2   這兩個R1,R2要那個大比較好呢?
4#
發表於 2008-11-14 20:24:02 | 只看該作者
范围在几十K到几百K,太大费面积,太小耗功耗!
5#
發表於 2008-11-15 09:09:22 | 只看該作者
原帖由 semico_ljj 於 2008-11-14 08:24 PM 發表
. P9 ?8 N( c/ t& O范围在几十K到几百K,太大费面积,太小耗功耗!

5 X4 _7 Q1 e9 F6 l) \8 d- Q" }9 ~8 }# A. }
费面积?会费多大?在pcb板子上都是贴片电阻把。。。
. \- }! Q3 \5 ^* u- g: A- l# Q( D楼主意思应该是在pcb上,而非集成在电路内部。。。
6#
發表於 2008-11-18 22:49:11 | 只看該作者
面積、功耗的trade off。取值太小會影響功耗,取值太大會增大面積。
6 p$ {+ X) k8 E一般幾百K左右。
7#
發表於 2008-11-27 02:40:42 | 只看該作者
我之前上 ntu 陳秋麟老師的 power ic( S" Z( U0 f/ s6 k1 g2 P+ W- ~
8 I3 [& ?7 I! Y" m9 e
有說到電阻值並不是越大越好.. 詳細原因我不知道../ `  }8 r) Q1 z

! V, g8 ]  F# {, Y2 t. h$ B雖然以公式來看 效率等等會越好% Y" z! S# `( c9 ?! z0 ?/ f: G
2 K( [, C3 G" q4 Q7 J' T
我個人感覺(純猜測)  當電阻十分大時
  J1 P% k4 D$ O6 s. a( f' i- h( ^1 p* k  m0 ^) \( k$ O$ B
流的電流會非常小...,然而小電流很 sensitive 4 g2 I6 D/ ?  ~) l: [' z
( t1 x4 w0 t: s
導致LDO輸出端,十分的敏感。.....
* D* [1 f% u* ~6 }3 V: k; ~
, G* M  T! E/ N, b4 e) e$ j- l* B; R
純猜測...
8#
發表於 2009-4-29 14:36:02 | 只看該作者
取值太小會影響功耗,取值太大會增大面積
6 G+ n+ e8 y1 {( Z& x另:$ @* r5 x- V. {( f% x9 m1 ?
FB電阻太大會不會產生很大的熱雜訊?
9#
發表於 2009-4-30 22:51:43 | 只看該作者
thermal noise從output端去看應該還好
, B0 b1 K% ]" ]* z. L因為外面有掛輸出電容noise power會變成KT/C跟電阻無關
; ^7 O' p) e4 v不過下電阻沒掛電容直接進入feedback端的noise就要看LDO整顆的loop gain來決定能否壓的下來
2 ~3 G$ l: ]5 S3 d- c
3 o& a: H' n# V- h/ Y其他就和大大們說的差不多6 s, u" @' F; D1 [% M9 B( C( S
太大 占面積
) S: V8 n1 S  `8 E9 \太小 耗電流
  m  e% n0 e+ ~8 v) b1 g4 x( r2 K7 i$ B7 E
不過太大 還有一個壞處 就是low load時頻率補償較不容易吧.
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