BCD制程下的基準應該怎樣設計？

lynker

小弟想在0.35um_BCD制程下，設計一個bandgap，電源電壓為4V到9V，輸出1.25或者2.5V皆可。為了節省面積不想設計為純bipolar結構。如果是使用MOS管的話，我該如何下手啊？MOS管的耐壓大概在5V左右，而電源電壓卻是4V到9V。是否需要一個簡單的降壓電路為bangap供電呢？望高手們指教啊。

lynker

多謝指教！
2 W0 d5 {* I. [  V# I; a* |) i  j' W查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什麽？

$ j2 ^% F2 o" Z4 f9 A. P9 T( m! b[ 本帖最後由 lynker 於 2008-11-4 09:04 AM 編輯 ]

lynker

剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？

lynker

不知道我這樣做Pre-regulator，是否正確。
$ c9 q! }  s% z3 G我是將幾個接為diode形式的bipolar串起來產生一個4V左右的電壓然後經過source follower， buffer出一個3V的電壓。用這個電壓為MOS結構的bandgap供電。
" C3 ]3 ^; |# P2 L大家都是用什麼方法實現的Pre-regulator呢？請指教。

lynker

回復 10# 的帖子
我使用的是BCD制程，bipolar，HVMOS，DMOS耐壓較高，LVMOS則都是3.3V的。現在把電壓降下來了，用LVMOS做的bandgap。
以前做過一個LDO，是bipolar的，其中bandgap結構如下：
因為LDO要求不高，所以bandgap未做trimming，4V的LDO tape回來，輸出偏低，分佈在3.92到3.96之間。