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SCR of ESD Protection in Submicron CMOS Technology

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1#
發表於 2008-10-31 13:12:02 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Lateral SCR Devices with Low-Voltage
; I) N2 E' N' q: u- bHigh-Current Triggering Characteristics for Output. n% s2 F* t& Q" U  q) y
ESD Protection in Submicron CMOS Technology
2 h' a" {+ A9 a5 F) m  A4 k( Q$ b3 u% C  g9 ~" b
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 45, NO. 4, APRIL 19980 z; }' s9 v( z( o/ w. y4 M9 g0 `: ?! j
8 J4 [  z: j5 }, g
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2#
 樓主| 發表於 2008-10-31 13:14:33 | 只看該作者
有实际的流片过且测试过SCR 的ESD效果的吗?据说(非本人经历)0。35一下工艺可以达到6KV(HBM)!
3#
 樓主| 發表於 2008-10-31 13:19:16 | 只看該作者
SCR确实很省面积,但是由于出发机理类似Latch-Up,所以实际应用时要注意防止触发"Latch-Up",这是一大难点!
4#
 樓主| 發表於 2008-10-31 13:29:08 | 只看該作者
我不是很了解,好像大型的Foundry厂(TSMC、UMC、SMIC、UMIC等),都没提供采用SCR保护的I/O!可能SCR技术不成熟,或者有风险!大家的意见如何呢?盼望一起讨论一下
5#
發表於 2008-12-4 21:24:20 | 只看該作者
看看                                                               7 p$ Z' }  }8 U! v6 }8 W- G& x
多谢
6#
發表於 2009-1-21 17:14:39 | 只看該作者
我的片子剛剛回來,測試了好多次,有一次芯片坏了,不只是ESD還是LATCH-UP,很是鬱悶啊!  ; \) D0 e3 ^0 ~0 O" L  i" S& V

3 F7 u1 ]$ ]8 d) w7 a: ?; D" C多謝您分享這篇文章!
7#
發表於 2009-8-28 20:21:04 | 只看該作者
thanks for your data ..............
8#
發表於 2009-9-18 14:35:00 | 只看該作者
不錯的參考資料, 謝謝分享!
* u  Y( i1 r( l: i: W  J) z剛好需要, 謝謝分享!
9#
發表於 2009-10-16 10:19:50 | 只看該作者
This is what I need document....
0 w. k, _1 `8 I9 C; p# N  c+ X% B" I$ B  a3 r

: F1 U; `" z! [7 h2 @3 qThanks.
10#
發表於 2010-2-26 14:42:06 | 只看該作者
不錯的參考資料, 謝謝分享!  
# B2 q1 c  f  A; m% ~
+ C+ p  S+ Y  m3 w" I5 M8 t' \, f謝謝
11#
發表於 2010-12-21 20:49:26 | 只看該作者
謝謝分享
7 V+ ^8 o3 P4 `5 F; A4 e' G0 u" ^/ y1 V+ j/ }5 y9 K
剛好有需要
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12#
發表於 2021-8-26 13:35:25 | 只看該作者
受益'良多
# e# m/ g4 l. e# w& r$ h, J5 f- J& [3 ]) ~
謝謝大大的分享!!!!
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