SCR of ESD Protection in Submicron CMOS Technology

semico_ljj

Lateral SCR Devices with Low-Voltage
High-Current Triggering Characteristics for Output
8 ~) G4 k/ }. t. l9 _( Y8 f! rESD Protection in Submicron CMOS Technology

- I, m/ \/ A) H; a0 B0 qIEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 45, NO. 4, APRIL 1998
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semico_ljj

有实际的流片过且测试过SCR 的ESD效果的吗？据说（非本人经历）0。35一下工艺可以达到6KV（HBM）！

semico_ljj

SCR确实很省面积，但是由于出发机理类似Latch－Up，所以实际应用时要注意防止触发"Latch-Up",这是一大难点！

semico_ljj

我不是很了解，好像大型的Foundry厂（TSMC、UMC、SMIC、UMIC等），都没提供采用SCR保护的I/O！可能SCR技术不成熟，或者有风险！大家的意见如何呢？盼望一起讨论一下

andyjackcao

看看                                                               
- ]7 T2 |$ m- D& C, r. s& w多谢

semiartist

我的片子剛剛回來，測試了好多次，有一次芯片坏了，不只是ESD還是LATCH-UP，很是鬱悶啊！  

$ E. X3 C0 d% _多謝您分享這篇文章！

jstsai

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kosa1234

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Chandler_Tseng

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rainning

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kie01tw

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szona44250

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