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[問題求助] 少子注入源?

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1#
發表於 2008-10-23 11:32:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在看版图书籍关于防止闩锁效应时,出现一个名词--少子注入源,请问各位大大,这个是指哪些,解释得越通俗越好,谢谢!
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2#
發表於 2008-10-29 10:29:06 | 只看該作者
如果可以麻煩請您附上原文(英文)的說明,因為兩岸的用詞習慣有所不同,  s9 S6 H6 G, O: O
( q5 @$ `2 y* J. ^) W
所以 "名词--少子注入源" 不同於台灣的用法,多數人不易理解。. _  n" U. J: @1 ~  |8 [
5 i' w! y/ C% n( N+ j% {4 r
用英文會比較好溝通。
3#
發表於 2008-11-2 07:28:07 | 只看該作者

LDD?

我猜是lightly doped drain LDD4 G- b8 [8 S$ f- o1 U. G: }; Q
' L9 F0 W4 L! F
十五字十五字
4#
發表於 2008-11-2 17:09:05 | 只看該作者
应该是LDD!见The Art of analog Layout!
5#
發表於 2009-1-6 10:39:34 | 只看該作者

我的看法少子是与当前sub相反的注入

我的看法少子是与当前sub相反的注入,如在psub上时,p+注入是多子,n+注入是少子
6#
發表於 2009-1-20 15:42:09 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

少子注入,在较大尺寸的开关管工作时有可能发生,它主要源于PN结的正向导通,因为瞬间的大电流致使MOS的source和bulk之间的pn结正向开启,向sub注入少子,这种少子注入容易引起latch-up,可以通过加guardring进行收集,如nmos可以在pring外面加一圈连接至vdd的nring进行收集,为了安全考虑,可以在nring外面再加一圈pring
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