带隙基准PNP面积大小如何选取？

zhuxiaoqiong

在CMOS制程中，縱向PNP管的面积有10*10，5*5，2*2的，我们在做设计时该如何选取呢？
, ^/ O' D- L! \$ @+ C
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, v! l3 W0 a8 z4 L$ F[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:06 PM 編輯 ]

Oo海闊天空oO

在CMOS製程中的Bipolar Transistor中
10*10,5*5或2*2指的都是Emitter size!!
面積不一樣~~最基本影響的就是Is電流~~
且Vbe=nVt*ln(Ic/Is)
Emitter面積越大~~Is就越大~~
相對的~~VBE就會下降~~
3 s5 Q3 ?" E- D  \2 X* |但是三種的VBE電壓在corner TT的情況下,
: O+ u5 b+ j. o都在0.63V~0.72V間~~
因此就看你自己的需求了~~
4 k; _% l* n1 O
如果有錯..還請其他大大賜教^^"

monkeybad

建議選5*5以上的比較穩 特性也比較好 做出來的IC每一顆之間的差異也比較小

zhuxiaoqiong

Oo海闊天空oO，monkeybad，謝謝二位的作答。
1 d* E( ]" e0 O/ P! b  s
還有點想弄清楚的是monkeybad所說的穩定和特性比較好，是什么原因？三種size之間的匹配度應該是10*10 >5*5> 2*2，但beta又是2*2>5*5>10*10，這種選取是基于這樣的折中考慮嗎？
/ a; z# Z/ h) Y$ Z6 X
% `, h* D' q# N& ?/ C如monkeybad所說，我見過的bandgap設計都選取了5*5的size。

jerryhao

no matter select 10*10 5*5 or 2*2, there is no problem since it  just be used as a diode.
' i8 x+ N5 s$ D( b5 ~- fbut analog ic design is a trade off work. so select the 5*5 sample meet the requriment of area and match.

tony9211

比較新的製程有提供mismatching model後
$ S1 F/ ~" a' W9 I  {BJT mismatching沒有想像中的大
也許2x2已足夠