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[問題求助] 带隙基准电路

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1#
發表於 2008-10-8 16:54:44 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
现在有一个现成的0.6工艺设计的带隙基准电路,性能挺好的,现在要转换成0.35工艺,请问该电路哪些部分需做改变?7 m! N$ y5 h+ a( D  ~9 s6 s, |
若是电路结构不变,需要调节哪些器件参数达到类似的性能?; g, }* T5 ^2 k) q0 {& _" \; g
请高手帮帮忙!
3 Q6 E" s  _' }电路图如下:电流镜型二次曲率补偿的电路原理图

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2#
發表於 2008-10-10 18:36:03 | 只看該作者
如果是0.6製程換成0.35製程,若架構不變,以Bandgap reference電路而言
" I. E% G% v" i' S7 h要留意的應是電阻的溫度係數和BJT與MOSFET兩者的溫度係數變化6 M9 T6 M5 I0 R3 F3 O) c% ]% k
因為不同製程,它的機台和製程參數也不盡相同,以Bandgap reference circuit這類以溫度係數為補償的架構. g( {: I/ W# G) S' F, ?
所在意的是各個元件的溫度係數變化, U, L$ i" r5 F- l* a- I4 b- Q3 O
故而,跑一下溫度的變化,然後微調電阻的比例值應該就可以了
3#
發表於 2008-10-12 12:07:58 | 只看該作者
电压应该也要变吧,那宽长比不用变吗?用.35工艺的话,工作电流不用变化吗?
4#
發表於 2008-10-13 23:40:19 | 只看該作者
我以前曾把0.18um的Bandgap reference電路直接用到0.13um的經驗- j  w+ h, j& ?7 k  Y
因為我們在設計時不會用到minimum length,所以,一模一樣的size,只是改SPICE model和工作電壓由1.8V變成1.3V
7 D7 Q: e7 U5 b8 F& B0 }3 P1 L9 l結果模擬出來的溫度特性和電壓蠻接近的,只需微調電阻的比例值
* ]( t7 v+ s: X) s3 M, |2 d所以,我在前面才會說若是原本的電路已設計的很好,那由0.6um變成0.35um,其實,出來的結果應該不會太差才對,所以,若出來的電壓和溫度特性沒有很大的變化,那大概只需作微調應該就OK了
4 m7 x3 W% ?# `6 X4 o如果還有考量到size,那應可再等比例往下調
5#
 樓主| 發表於 2008-10-16 19:01:13 | 只看該作者

非常感谢

很感动,感谢各位帮忙分析,学到了不少,我会努力试试的。
, C" R# w9 c+ ?) }$ g+ s7 r; a谢谢!
6#
發表於 2008-10-28 13:10:45 | 只看該作者
呵呵,0。6到0。35还是有差异的,如果L设计2um以上,差别不会太大!
7#
發表於 2008-10-28 13:13:59 | 只看該作者
还带曲率调整,精度较高,将来调整起来要小心啊!。。。
8#
發表於 2008-10-29 19:16:31 | 只看該作者
不需要怎么改动,最多改一下电阻的大小就好了/ t) m8 I, r/ o; d" q
想问一下楼主:原来bandgap的最低输入电压和输出电压分别是多少?
9#
發表於 2008-10-29 19:41:15 | 只看該作者
前面为什么说L要>2um呢,因为2um大约是0。35um的6∼8倍,这样L的调制效应会比较小!
10#
發表於 2008-10-29 19:42:31 | 只看該作者
还有电源电压要保持一致,如果电源改为3。3V,那么就很麻烦了!
11#
發表於 2009-10-12 21:36:01 | 只看該作者
版主们真是热情呀,赞一下,有这样的版主,此论坛必定人气旺盛
12#
發表於 2009-10-13 08:52:30 | 只看該作者
偶尔路过,一直看下来,受益匪浅。非常感谢楼上各位,呵呵
13#
發表於 2009-10-15 19:17:35 | 只看該作者
怎么看不懂这个的原理呢,是由什么来产生带隙电压啊,有明白的给讲一下好么?
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