Statistical和Mismatch model

blueskyinair

請問有沒有人知道Statistical和Mismatch model有什麼不同?

" G. K. s0 ?1 p1 J感覺好像兩個都是拿來run Monte Carlo
8 W  m; j6 ~, u" s4 O9 v3 C6 p
3 T1 [) Y, p$ @& W: f如果我是拿來run OP的offset，應該用哪一個呢?
8 o$ G- q  b: g3 h5 n
謝謝

finster

一般製程廠只會提供SPICE model,裡面並不會特別去區分這是Statistical和Mismatch model
  i6 ^" p  s4 B. s' l另外,Monte Carlo的model,通常製程廠並不會給,除非你向製程廠要求,他們才會給,再者,一般你在run Monte Carlo時,有些參數你可以自己設定而不需要透過製程廠提供,不過,前提供是你要對SPICE model有相當程度的了解,不然,那些參數要怎麼設會是一個大問題
2 A( C2 J8 L0 u. g2 H至於op的offset,通常用SPICE model就很足夠,若真要更保險的作法,絕大部份是加run Monte Carlo

blueskyinair

先謝謝您熱心的回答
* Q8 Y4 a; \$ l8 @( N
& W: v6 d8 j1 i目前TSMC 0.18um mm的SPICE  model已經有Statistical和Mismatch model
提供您更新的資訊~~
% T; d$ \2 m- r3 f, k+ r* Z
' i% d; n8 w/ D5 n& Z不知道版主您若要run op offset的Monte Carlo會怎麼設定參數?
4 ]) [6 i. v2 l' g若不run Monte Carlo, op的offset怎麼會在一般的SPICE model中呈現呢?
. e$ x. D; V9 `3 p7 Foffset的主要來源不是在於W,L,Vth的不匹配嗎?
謝謝

finster

Monte Carlo的參數設定,你可以查SPICE的使用手冊,上面都有明確的描述
而會跑Monte Carlo,最主要是針對W,L,Vt等參與作統計和mismatch的變化作SPICE模擬
因為Monte Carlo可以針對某幾項SPICE Model作個別設定和變化然後作SPICE 模擬,詳細的參數和統計用法要看SPICE的使用手冊,我都要是跑Monte Carlo時才會再去翻來看
- A& l6 U* }, H5 c+ d
  g1 D; \( a8 D" K$ n% f至於不跑Monte Carlo如何看offset,你可以針對某幾顆你覺得會有影響的MOS,然後個別改變它的w,L,Vt等參數或者值,變化的幅度就看你覺得要用多大的製程參數漂移來設,同時,統計的量化要看你是用高斯分佈還是其他參數

+ d# l' o7 q! D4 ?+ F5 P另外,我以前接觸TSMC 0.18um的SPICE Model時,並沒有提供Statistical和Mismatch model這兩種model,也許是後來又再提供給客戶使用的吧,不過,我個人覺得這兩種model應該是針對Monte Carlo而作的SPICE model

blueskyinair

我對於Statistical和Mismatch model的差異有一點不太了解
6 w+ D2 k6 Z. W; v7 j1 e
Statistical model是指說用此model模擬的結果可以fit量測的結果,也就是有點類似corner的概念
* G0 @! ^$ x* i* s3 O( Wmismatch model則只是針對製程上電流或電壓不匹配的key parameter像W,L,Vt來做變動,若是要模擬offset就該用此model
7 y9 }0 g+ _( A. c* T' z% ~! g
請問以上的見解是正確的嗎?謝謝

finster

我沒有看過TSMC 0.18um中Statistical和Mismatch model,所以我不清楚它的SPICE model是如何定義的
3 @1 `5 V( u: B$ h8 U就以Monte Carlo來說,它有參數可以去設你的W,L,Vt...等參數可以有多大的變化量,同時又是以那種隨機亂數分佈變化,所以,在跑Monte Carlo時,你可以單獨指定某一顆MOS作變化,也可以全部一起作變化,同時,你也可以單獨指定變化W,或者變化L,或者只變化Vt參數
. s( l( R1 q; l! e. G3 i
7 ?) H; ]0 F" Z% F  K+ G4 [- M& i而以Statistical和Mismatch model來說,統計的model,你要看它是針對那項參數作統計,是針對W,還是L,還是Vt,還是其他參數,它的變化量為何,這些在它的SPICE model上應該會註明才對,這些你應該花點時間去看一下SPICE model
而至於Mismatch model,這個model感覺是針對製程上的問題而作作的SPICE model,就以mismatch來說,可以區分為layout架構畫法的mismatch和製程上的mismatch,而layout上的mismatch是要看layout的畫法,所以,這個Mismatch model應該是TSMC針對它的機台所作的SPICE model,不過,如果它是針對TSMC的機台而作的SPICE model,那還要看你是TSMC那一廠的機台,因為不同廠區的mismatch也會不太一樣
一般來說,Statistical和Mismatch model的用法和定義在它的SPICE model上一定會註明它的用途和相關意函,建議你找一下TSMC所提供的document,裡面應該有明確的說明

daidai

As I know, statistical model is for process variation and mismatch model is for device mismatching effect. For offset simulation, I think you should use mismatch model for investigation.

AIC6632

哎呀，這個都沒去跑
我太偷懶了