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樓主 |
發表於 2008-7-25 09:24:25
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本人找到的一个方法是在LVSCHK[OPTIONS]这个命令中,在options处填上【X】选项,这个选项可以上比较进入到晶体管级别。个选项解释如下:
9 t+ b0 U: L, l: }A:合并串联电容。例:两个为1c的电容串联合并为0.5c的电容。
% ~0 z& Z, y2 F; l/ pB:合并组件如MOS, LDD, RES, CAP, DIODE,但不合并并联BJT晶体管。
$ _! g" P* ?# Q# Q. D+ jC:组合晶体管形成一个整体器件,如INV, NOR 等,但不能应用 X 选项。只有被指定为或N类型的晶体管,才会被识别。
+ C# k% h# E; b) {) d( _: J: zE:匹配器件如:MOS, BJT, DIODE, RES 的尺寸。
7 V9 B9 s8 `5 F! `( lF:过滤没有用到的MOS器件。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。5 N& e& W: B3 n' Y. [$ ^; u
G:对schematic 和 layout 应用相同的规则过滤。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。& b2 Q* V, I& ^# }# I# ~" D# W
K:保存器件并联状态,默认为合并。例并联电阻,并联MOS器件。(注意尺寸的计算。K选项将会让B选项失效). J6 K- ?- E7 H, x! @! d, h
L:与C选项相似,但不组合AOI或OAI器件。(L选项将会让C选项失效)0 U( E/ @- ?8 R' G5 v
O:组合并联或串联MOS结构。默认值将不会组合SMID或PMID结构。该选项打开,LVS可以识别BiCMOS结构或门级层次。使用O选项将禁止打开X选项。
3 y1 Q" D4 f; v) n P VP:识别CAP极性,极性端反接将显示错误。4 i& `% H" _( A/ ^6 ~1 U3 I* H8 i
R:合并串联电阻。
7 R2 ~0 J( G; P3 ?) [/ {' C: o) MS:合并分列式晶体管结构(假的并联结构)。2 @% Z6 Z: C) X0 a# ^* S
T:在匹配时,将sub 端作为一个通常的连接端来匹配。
# B1 R$ s- n8 v2 vU:在(.lvs)报告中去除多余信息。
/ d' m' e/ d! l9 L) \) X7 [X:比较将延伸到晶体管级。例:NAND2两端连接会有顺序。* v7 E: F8 w7 b1 p
Z:过滤没有连接到P/G的器件。 |
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