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樓主 |
發表於 2008-7-25 09:24:25
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本人找到的一个方法是在LVSCHK[OPTIONS]这个命令中,在options处填上【X】选项,这个选项可以上比较进入到晶体管级别。个选项解释如下:# o( l0 a% S! u7 t# ~
A:合并串联电容。例:两个为1c的电容串联合并为0.5c的电容。
8 a; ^) v) X5 D' x9 h" XB:合并组件如MOS, LDD, RES, CAP, DIODE,但不合并并联BJT晶体管。' C# o4 V c0 i1 P8 p$ o
C:组合晶体管形成一个整体器件,如INV, NOR 等,但不能应用 X 选项。只有被指定为 或N类型的晶体管,才会被识别。" n6 ?% c4 Y4 C0 r
E:匹配器件如:MOS, BJT, DIODE, RES 的尺寸。
~, U' i; U: x- Q) I1 Y: r7 ^F:过滤没有用到的MOS器件。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。
: g0 z% i( o8 M; t( WG:对schematic 和 layout 应用相同的规则过滤。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。
, z2 p" e+ ?5 |( C" ]0 f* sK:保存器件并联状态,默认为合并。例并联电阻,并联MOS器件。(注意尺寸的计算。K选项将会让B选项失效)5 R' P* g1 z, E* z6 w
L:与C选项相似,但不组合AOI或OAI器件。(L选项将会让C选项失效)
" ~( h X+ }6 C5 {O:组合并联或串联MOS结构。默认值将不会组合SMID或PMID结构。该选项打开,LVS可以识别BiCMOS结构或门级层次。使用O选项将禁止打开X选项。
4 d7 V2 B' K' d% L& s: x) QP:识别CAP极性,极性端反接将显示错误。
1 i* |+ E6 E% T3 O1 g. N+ \2 U, DR:合并串联电阻。
8 f9 x$ u/ G+ |+ [8 rS:合并分列式晶体管结构(假的并联结构)。
* y+ n `; r/ XT:在匹配时,将sub 端作为一个通常的连接端来匹配。$ ]5 T4 G' }: \- J
U:在(.lvs)报告中去除多余信息。; i8 s+ p" w' I& k$ H
X:比较将延伸到晶体管级。例:NAND2两端连接会有顺序。
3 Z- E+ w) T2 U0 g6 X9 [: CZ:过滤没有连接到P/G的器件。 |
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