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[問題求助] Diffusion ROM & Via ROM ??

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1#
發表於 2008-5-30 09:24:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
什麼是diffusion ROM, Via ROM?  u6 E* ]7 }/ j- X) {9 L- V$ g
它們的差異在哪裡呀?1 C6 ~3 Q( M3 ?; W8 x
請知道的大大share一下!!
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2#
發表於 2008-5-30 16:57:51 | 只看該作者
網路上查到的.參考一下:
" O2 C5 j. n/ G) }* }  l4 {"Diffusion ROM is based on VT change (using VT implant mask) => Hihg VT transistors not conducting, low VT ones conducting
% c2 ~1 {( C- }- dVIA ROM is using via to "connect" or "not connect", resulting 0 and 1
3 o) z* u' v: g0 s1 z3 B$ _3 ~VIA ROM may have bigger cell size "

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3#
發表於 2008-9-29 13:52:58 | 只看該作者
以Mask而言,Diffusion layer 的製造順序比PLY前面,wafer) s, v+ l' K( h5 ?  m! P
不能hold在此時,在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的
, J' I/ H5 r5 j6 d# _# C3 D0 rproject,選用Diffusion ROM是很不智的。
, P' C4 R& k3 m' Z1 @但他有面積小、速度快的優點。
3 r! q0 V& e* _
9 x! }: h. _4 O  a7 N; i7 z另,Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的
- R" S, i% q+ ]2 K4 b8 U- Z% A2 r1 N方式通常有patent保護,自己要design時候要特別注意,也要看
/ `& _" v0 A0 R# Q1 O# U8 _6 O1 w你要投的fab有沒有支援此process。
, @& L. w0 O0 E7 f- |5 A. s. v, \9 Z3 Q" X# Q$ F2 V
Via layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。* c6 j8 j9 y( x/ b3 D
: U9 T1 V8 ]+ F7 L; T1 d" ]
[ 本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯 ]

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4#
發表於 2010-7-2 10:20:57 | 只看該作者
Diffusion ROM通常用在exteranl ROM; Via ROM 跟metal ROM通常是應用在embedded system; Difussion ROM的應用時間是ROM code真的很成熟的時候,這樣才可以gain到體積小而不用改ROM code的優點; Via ROM更改ROM code的cost則比較小

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