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[問題求助] Diffusion ROM & Via ROM ??

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1#
發表於 2008-5-30 09:24:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
什麼是diffusion ROM, Via ROM?
" d( G0 E  p2 U2 n( Z它們的差異在哪裡呀?
- ]8 m6 ~- U) H0 S請知道的大大share一下!!
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2#
發表於 2008-5-30 16:57:51 | 只看該作者
網路上查到的.參考一下:
" R; d% G4 s' b# {& A"Diffusion ROM is based on VT change (using VT implant mask) => Hihg VT transistors not conducting, low VT ones conducting
3 J1 T5 u0 H. z: ?" a, z" K; C1 ZVIA ROM is using via to "connect" or "not connect", resulting 0 and 1 5 }$ O7 d& m! n5 b: K$ _
VIA ROM may have bigger cell size "

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3#
發表於 2008-9-29 13:52:58 | 只看該作者
以Mask而言,Diffusion layer 的製造順序比PLY前面,wafer
  d1 e) k. I8 @* l0 E* O1 w% O9 b不能hold在此時,在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的
' ~) H7 C8 A; B" W/ k2 N& Q# h6 pproject,選用Diffusion ROM是很不智的。# l  ?# T" R$ E; F5 o
但他有面積小、速度快的優點。5 i5 b2 N3 \( Q3 I$ [( C
  X, q$ S2 ^  P2 M  N% o
另,Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的
! \$ ^, h! b7 {9 o2 S: w9 A7 O方式通常有patent保護,自己要design時候要特別注意,也要看( }. U1 R3 n& G3 g3 ]: T
你要投的fab有沒有支援此process。* o8 k5 \) p! V2 m  A

+ `. G9 f# m1 ^2 T, x2 {Via layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。  u# c4 a/ N, C& L! m7 `9 v

2 o; E$ b0 W% ?1 Y; V4 V[ 本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯 ]

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4#
發表於 2010-7-2 10:20:57 | 只看該作者
Diffusion ROM通常用在exteranl ROM; Via ROM 跟metal ROM通常是應用在embedded system; Difussion ROM的應用時間是ROM code真的很成熟的時候,這樣才可以gain到體積小而不用改ROM code的優點; Via ROM更改ROM code的cost則比較小

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