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以Mask而言,Diffusion layer 的製造順序比PLY前面,wafer
* R/ c( ^. t4 ^* k8 L2 [不能hold在此時,在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的6 X8 \) _7 {$ W. N
project,選用Diffusion ROM是很不智的。
/ z: c" t5 z/ z& H! V) k但他有面積小、速度快的優點。1 p. O2 [* j; R4 [6 C+ U. ?. K
: {, s! z' m& O2 h4 U+ t' M5 g* G$ |另,Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的
9 m8 G. X, l! Y1 Z) N方式通常有patent保護,自己要design時候要特別注意,也要看
" }: Q9 |3 q& [你要投的fab有沒有支援此process。& K4 _/ j) C8 i) o6 r/ p
! t9 @, n) P+ j2 i4 dVia layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。
- I4 v, P1 n& ~7 g% P2 e% b, W' e8 R8 e5 r6 l) p
[ 本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯 ] |
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