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以Mask而言,Diffusion layer 的製造順序比PLY前面,wafer
d8 ]) m- t+ @" O* @, ]! J" V不能hold在此時,在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的
6 E) l$ G( D- S% Zproject,選用Diffusion ROM是很不智的。
0 `/ \4 g& E# d+ \9 k但他有面積小、速度快的優點。
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1 H" _! _% i" b v# t另,Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的+ N, ~) R# Q1 D: S
方式通常有patent保護,自己要design時候要特別注意,也要看9 ~1 E6 f9 A8 L
你要投的fab有沒有支援此process。( `0 H% a% x+ e$ I& y
7 f; g C4 c m9 ^Via layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。
) \% D- G5 X! M$ V; M6 T7 { l, [ ?1 y$ s
[ 本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯 ] |
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