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[問題求助] Layout 新手問題!!

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1#
發表於 2008-5-14 15:21:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
inverter 製程 0.18
8 d% ~# t$ |6 W4 f0 j  l0 _
7 Q, h+ c$ X& v# P# m8 i: ?---RUN DRC----------
. B8 Z1 ]; W1 U出現error" V, x9 T9 F& z* ?
0 `: F& U% [( e$ }) Y. _
1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors8 s$ h3 x% `" S2 K, I/ D% u/ _
(OD WITHOUT IMPLANT)
& d+ g! n# G& \; V  v, b; R0 h  s/ u4 \8 D# I/ A6 ?
2.CHECK M1.E.2- 8 errors
2 r! ]3 f% V' q  QM1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond0 k7 b8 ]6 v& D) Z
C0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite
# ^3 ^) Y" Q3 o, R) W- I* yINT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)
( C( G! ~0 l* a" W! I% g- I  X. e- D' V- u9 e( i0 n) [( z
3.CHECK P0.R.3 -1 errors0 r: `8 B5 _* D" K, ?# W
Poly area coverage < 14% (exclude application forindactor)5 p# w1 c; Q' g% S7 T; C5 `$ }9 T
CHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY& |$ q: U5 K) L  l) L
Density polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print* ?" @" |% U. B; I& n5 d6 P
AREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND)
" Z9 b+ X! d; s.
( v. ~0 w) j0 K4 Z9 H; R.9 t8 ?2 U1 K" z, B9 }, H
.
; W" p- `( r) f, z/ y/ ^1 x. y" _% \類似錯誤6 q# r7 J+ ~2 d9 `9 f6 ]8 i( a
, g' i( o. W- I2 H  v$ Q
( b2 a. }) Z- e& x6 W7 t* s7 y& O

3 c$ a& H. @- l& O5 _4 i
+ I6 \" _8 @: X4 d% y/ u: q1。因為標錯誤的圖示實在找不到,無從下手,都在亂猜,所以上來請益,5 B3 w: c. G( @$ o% A" v3 D. `- ^1 ^
希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法?
& }: M; I" O; R/ t) e5 E' T& [ex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的0 A1 q* B% s; g( Z8 G8 N
2。是否有專業解說DRC error的網站?可以提供給小弟精進,還是一切
0 M" |. K( \  a/ f2 {3 S9 y都是憑經驗
' L! J* e- D. V. s; u1 j
+ k" p3 ^) `( j9 h2 k初次發問,得罪的地方,請多多指教。
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2#
發表於 2008-5-14 16:14:06 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

1.是OD外圍要圍n implant or p implant. |  w1 B4 `: W) A/ r8 G, S* [1 O- C  H2 E
2.是左右MT1 extension co 需0.0um
" R! H' H! J/ A- _4 S3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)
( u; t- `) L6 s' C$ [我覺得應該釋這樣解釋!!
3#
發表於 2008-5-14 19:05:42 | 只看該作者
建議您可以先去看一下IC製程的流程
4 _/ N. a, c! l3 H# ]6 n" q% b' s) J
這樣子在Layout 時會比較有感覺
4#
發表於 2008-5-14 19:26:12 | 只看該作者
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
5#
發表於 2008-5-15 03:10:27 | 只看該作者
感覺您mos是自己建的?
- m' o! F9 M3 k7 t7 H第三個coverage 可以忽略
5 x$ s/ w. D3 Z+ J3 M% [/ n3 i要下線時再解決即可" p2 z- O' H6 E
; ~7 k0 `$ ?( l( `/ s+ s
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...1 z) k$ u/ A& K$ j
應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
6#
 樓主| 發表於 2008-5-15 04:45:40 | 只看該作者
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表
  x/ q) h0 _1 x' O感覺您mos是自己建的?
# ~; W# s+ h' W3 W5 x第三個coverage 可以忽略' b$ ~4 ]3 I" d3 |2 W5 f
要下線時再解決即可/ V$ z; X. N  a* Y0 g5 l

9 v: V( U2 N2 A+ E3 m) wlaker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
, H+ R. F3 n1 @! g# \應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了

" h: a' \% a, A- ?3 v! m. j
6 {) y% _1 Q; Q  j# |: t! _+ o6 O4 }) j; V- {0 I6 }' N9 Y& R
mos 我是用模組,create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣. B4 }6 t* i5 ?* V: d/ K! N
0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度 。他有預設0.18 um
; j; }' X! b' A6 v( |+ G4 m5 b6 G3 F感謝你的回答,我又多了一個try的機會,往正確的道路行走。
7#
發表於 2008-5-15 08:41:50 | 只看該作者
是呀,點18製程,當然poly預設就是最短的length,0.18um
. n( k2 f- O% Z8 C0 s& g7 E1 R=============================================# r; N3 S/ x9 s: L
今天cic 有開放線上e-learning7 \8 M" t* Y  p% W8 M
趕快詢問您們lab的管理員
% S, @. B. u/ V看有沒有開權限給您(要先加入cic會員). `, u. A. r) a' N( |
裡面有教laker、full custom design concept
9 Y; K2 n/ g3 o4 E* s1 Z: M0 c亦有hspice,都有一些不錯的技巧+ H% j) P% e3 I! O7 r; V
要趕快報名唷,晚了就向隅了,呵呵
8#
發表於 2008-5-16 18:57:47 | 只看該作者
建議看foundary廠的DRC paper,這樣在找error時會比較有感覺。
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