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[問題求助] Layout 新手問題!!

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1#
發表於 2008-5-14 15:21:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
inverter 製程 0.18' D/ c4 G# y0 E0 T, @+ b; J
0 d2 _! X) j, _3 w( u
---RUN DRC----------" R* n& i' k; ]( N) X3 x
出現error
1 ]) S7 C) L1 @; {" U3 a# X- o; T  a" V1 ]
1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors
! R3 S) B3 J/ x. }: `1 H7 J! E(OD WITHOUT IMPLANT)
: P* M: V0 X9 l3 s/ W: g+ i* c  I3 M  F. S7 M8 ?2 [
2.CHECK M1.E.2- 8 errors4 K, j1 Y( _4 I  ~2 i7 E, A
M1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond
" S2 x& Y5 Y( i* j' gC0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite! `  t( h, h  |
INT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)
2 X7 v! z' t5 o$ y5 L! `8 ]& Y3 O. t* A% h" q+ y
3.CHECK P0.R.3 -1 errors/ |7 |! K# D+ _9 r5 H3 G1 W
Poly area coverage < 14% (exclude application forindactor)- ?1 m! l2 L; L8 b$ m; S3 B
CHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY4 i8 l. s3 g$ m2 ~) B% `
Density polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print
, N: W7 n4 R* OAREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND)
& P- R0 e, z  I6 K.
# c( \; ~$ |+ h4 ~.& s+ L* R  t- k. M4 @
.
. T. y3 G$ `  U! e類似錯誤
4 Y: J0 c- d0 @! {" p( J5 H
" v' ~. B4 H' x5 ?! M0 C" A, f1 \8 T. d+ p2 z
: L& q. _4 _; H- X

4 X7 ]4 K# d6 q1。因為標錯誤的圖示實在找不到,無從下手,都在亂猜,所以上來請益,  n0 J1 w9 j  P/ B' `6 e
希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法?
1 {) r* j5 N( dex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的2 W5 w/ h5 }: R, ~2 Y
2。是否有專業解說DRC error的網站?可以提供給小弟精進,還是一切
: Z: Q  g9 j* k! ]! R: Q都是憑經驗( L  [- M, y5 G8 m2 R! a" N

3 O& w. u" g. P初次發問,得罪的地方,請多多指教。
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2#
發表於 2008-5-14 16:14:06 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

1.是OD外圍要圍n implant or p implant
$ b7 {: k: I9 m9 m7 Y4 a, Z2.是左右MT1 extension co 需0.0um
3 E7 n. m5 g4 A1 d3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)
# A. _' D# H0 t& U! h我覺得應該釋這樣解釋!!
3#
發表於 2008-5-14 19:05:42 | 只看該作者
建議您可以先去看一下IC製程的流程7 d7 n' i3 R1 r' ^. U
- d. L# u# `/ N. |: ~
這樣子在Layout 時會比較有感覺
4#
發表於 2008-5-14 19:26:12 | 只看該作者
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
5#
發表於 2008-5-15 03:10:27 | 只看該作者
感覺您mos是自己建的?$ `# i7 G! h, x% U; j
第三個coverage 可以忽略
) A) f7 O3 |# g要下線時再解決即可
' S! o0 ], x5 i* ?! H/ `3 e% l6 x, K
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...3 M% M' o3 `& R( C* J4 n
應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
6#
 樓主| 發表於 2008-5-15 04:45:40 | 只看該作者
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表
/ T0 q% v1 b8 p) f感覺您mos是自己建的?
% W$ d4 z2 C+ H8 i! z第三個coverage 可以忽略. P5 A  U$ @/ H  Z
要下線時再解決即可: N/ Q& J: o8 q3 V: W. c
0 \9 D& w( |) Q; C
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
. s4 C$ d! {+ `8 N應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
# D' b2 z' M1 k  Q# g
( p1 y$ |$ H; t* S4 S+ q0 i& T

0 V. X9 j5 X6 q7 [: q2 Amos 我是用模組,create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣; m9 [8 {: t4 e9 N( L/ N
0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度 。他有預設0.18 um4 s* [8 J* ]9 {* }( B+ ^
感謝你的回答,我又多了一個try的機會,往正確的道路行走。
7#
發表於 2008-5-15 08:41:50 | 只看該作者
是呀,點18製程,當然poly預設就是最短的length,0.18um
# r; _2 k" j  S$ z4 x# J2 l1 V=============================================$ e' a' e! A1 m
今天cic 有開放線上e-learning3 g; U& ?2 S' n; I/ n& i5 b
趕快詢問您們lab的管理員+ D: J$ e1 \" V' D1 H5 x: Z- V
看有沒有開權限給您(要先加入cic會員)* E9 V4 V% N  b7 x% Y/ [
裡面有教laker、full custom design concept. }1 e5 x( D" v+ l5 G/ k" b" l
亦有hspice,都有一些不錯的技巧
# P$ B# }  f6 Z% X要趕快報名唷,晚了就向隅了,呵呵
8#
發表於 2008-5-16 18:57:47 | 只看該作者
建議看foundary廠的DRC paper,這樣在找error時會比較有感覺。
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