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[問題求助] 製作Qcell 時無法加上opc

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發表於 2008-5-8 17:52:26 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
10Chipcoin
使用cadence IC5141版本製作Qcell
& H% J5 r# c. `0 [但是製作Qcell時無法在contact四個角加上opc
; I# Y! A. r# j5 @6 J0 o9 P5 t" k3 L因為Qcell 製作mos的layer層只有poly, od, cont, mt1, 四層並無opc這層 ! `( }1 U2 y+ U/ c8 w* e9 D' N
請問各位高手有辦法在製作Qcell時增加layer層嗎?
8 [! ^+ G2 j! l( H還是有辦法寫一個類似增加metal dummy的程式
  R4 \0 q  p  N: Y& K, ?% y. |可以在所有的contact 四個角增加opc 這層layer
, M+ Z# \4 m8 A2 Y6 d/ p7 J8 K2 O希望高手能幫幫忙,謝謝

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忽然发现上次的留言没写完,惭愧。 其实Qcell本质上是一个technology文件中Device子类中的一个CDS系统预定义器件的图形化录入工具。MOS是属于CdsMOS子类,如果不在TF文件中使用tcCeateCDSDeviceClass()来生成自定义的mos器件类的话,好像系统并没有提供多个CONTACT,或其 ...

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5#
 樓主| 發表於 2008-7-3 10:46:22 | 只看該作者
這個問題還沒解決,如果以pcell代替qcell就沒有這個問題了,感謝兩位大大的回答喔
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4#
發表於 2008-5-13 11:54:20 | 只看該作者
QCell在制作标准的MOS器件时候时很方便的,但是,诸如楼主所说的这种情况,可能必须重新添加几个OPC层的矩形区域,并将它的位置定义到现在Contact的四角位置上。当然,这样做基本的CELL的时候时没什么问题的,但是如果需要拉伸Contact阵列,或者在自动布局布线的时候可能会有其它的问题出现,最好还是由CAD支持人员来做这个工作。
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3#
 樓主| 發表於 2008-5-9 12:40:23 | 只看該作者
原帖由 skeepy 於 2008-5-9 09:47 AM 發表 " r* K5 G! s! ?2 F9 o/ N0 I# k
我也是用5141,qcell製作cdsmos時有add implant layer與
6 ~9 Y2 d& w! E4 badd well layer可以點選使用,自己要加哪個layer自己挑,不
2 c& L: [' x5 A  B7 k. d過是有限定enclosing diff gate或是兩者,另opc是什麼?看不: ^. R2 \  ~4 O* S' L
懂。

7 v; @# u; h- f" p# B/ ]+ ` , K. U0 g7 [6 b3 s4 z0 l2 S8 L
opc就是conopc層,用來打在contact四個角落的一個layer層 目的是防止製程在轉角處可以修正的比較接近方形,而不會使contact因為製程的偏差而做出來變成不規則的形狀% o" b  }5 h2 l, G
大大說的兩個add layer我有看到 因為沒有opc所以我無法定義@@& F+ _8 |/ j( k" f+ P! ~  j5 I
有高手可以幫忙解決嗎@@?
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2#
發表於 2008-5-9 09:47:26 | 只看該作者
我也是用5141,qcell製作cdsmos時有add implant layer與9 S" p. Q  s3 a7 ^/ U, k) m
add well layer可以點選使用,自己要加哪個layer自己挑,不$ m9 A# M% w7 \- R
過是有限定enclosing diff gate或是兩者,另opc是什麼?看不
( h# b6 q/ V, P5 x3 \+ w懂。
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1#
發表於 2008-5-8 17:52:27 | 只看該作者
忽然发现上次的留言没写完,惭愧。 $ I  c" S" K9 O' v7 ]' l- q/ s
其实Qcell本质上是一个technology文件中Device子类中的一个CDS系统预定义器件的图形化录入工具。MOS是属于CdsMOS子类,如果不在TF文件中使用tcCeateCDSDeviceClass()来生成自定义的mos器件类的话,好像系统并没有提供多个CONTACT,或其它层的输入来完成楼主所说的OPC.而自定义器件,又有可能会在邻接(abutment),P&R的时候出现问题,所以感觉还不如使用PCELL做来的方便。: U% s. J; T  Z# F4 Q9 q2 c
继续关注中,有谁知道怎么处理这个吗?
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