製作Qcell 時無法加上opc

sunwely

使用cadence IC5141版本製作Qcell
% D( I# l3 H9 H但是製作Qcell時無法在contact四個角加上opc
因為Qcell 製作mos的layer層只有poly, od, cont, mt1, 四層並無opc這層
8 ~/ O7 k/ p. F  K請問各位高手有辦法在製作Qcell時增加layer層嗎?
7 R6 c: @. V% G8 q0 i8 W還是有辦法寫一個類似增加metal dummy的程式
可以在所有的contact 四個角增加opc 這層layer
1 f# I# s$ J& r- B1 A希望高手能幫幫忙,謝謝

CHIP321

忽然发现上次的留言没写完，惭愧。
% p: f: n. s$ Q' q( j其实Qcell本质上是一个technology文件中Device子类中的一个CDS系统预定义器件的图形化录入工具。MOS是属于CdsMOS子类，如果不在TF文件中使用tcCeateCDSDeviceClass()来生成自定义的mos器件类的话，好像系统并没有提供多个CONTACT,或其它层的输入来完成楼主所说的OPC.而自定义器件，又有可能会在邻接（abutment），P&R的时候出现问题，所以感觉还不如使用PCELL做来的方便。
. R) n- ^9 q- t# m- }& }继续关注中，有谁知道怎么处理这个吗？

skeepy

我也是用5141，qcell製作cdsmos時有add implant layer與
add well layer可以點選使用，自己要加哪個layer自己挑，不
' A& H- R7 j2 A. C& }& m$ @過是有限定enclosing diff gate或是兩者，另opc是什麼?看不
懂。

sunwely

原帖由 skeepy 於 2008-5-9 09:47 AM 發表
我也是用5141，qcell製作cdsmos時有add implant layer與
7 s8 h. h! @" q" M2 D# uadd well layer可以點選使用，自己要加哪個layer自己挑，不
2 U# g' b4 `7 W" Y/ F$ u過是有限定enclosing diff gate或是兩者，另opc是什麼?看不
懂。

' ]; O; A* i0 F# D9 U) Gopc就是conopc層,用來打在contact四個角落的一個layer層 目的是防止製程在轉角處可以修正的比較接近方形,而不會使contact因為製程的偏差而做出來變成不規則的形狀
大大說的兩個add layer我有看到 因為沒有opc所以我無法定義@@
有高手可以幫忙解決嗎@@?

CHIP321

QCell在制作标准的MOS器件时候时很方便的，但是，诸如楼主所说的这种情况，可能必须重新添加几个OPC层的矩形区域，并将它的位置定义到现在Contact的四角位置上。当然，这样做基本的CELL的时候时没什么问题的，但是如果需要拉伸Contact阵列，或者在自动布局布线的时候可能会有其它的问题出现，最好还是由CAD支持人员来做这个工作。

sunwely

這個問題還沒解決,如果以pcell代替qcell就沒有這個問題了,感謝兩位大大的回答喔