群聯支援43奈米晶片6月量產 隨身碟首先導入

jiming

全力支援母公司東芝　SD卡預計3Q量產
- n% S# ^' A3 V3 l0 \
配合母公司東芝(Toshiba)下世代43奈米製程晶片第2季末即將大量產出，群聯支援43奈米製程的控制晶片也將於6月正式量產，預計可支援24bit的ECC(Error Correction Code)功能，為下世代NAND Flash產品作準備；根據初步規劃，群聯預計首批導入43奈米製程的NAND Flash，將是隨身碟產品線，SD卡預計也會在第3季導入43奈米製程。

4 S0 C9 {3 Y. N+ g0 qNAND Flash大廠的50奈米製程在第1季位居主流地位，目前各廠已逐漸導入下世代製程，包括東芝43奈米製程的NAND Flash即將量產，還有海力士(Hynix)的48奈米、三星(Samsung)的40奈米，以及直接跳到35奈米製程的英特爾(Intel)，預計在第2季底到第3季之間，慢慢增加產出。

) B6 Z3 W$ i7 Y/ B東芝的43奈米製程NAND Flash晶片，預計將於6月大量產出，為了配合母公司的進度，群聯支援43奈米製程的控制晶片預計也將在6月底前量產，預計第1個導入的產品會是隨身碟，第3季再導入於SD卡產品線上，全然配合東芝43奈米製程NAND Flash晶片的量產進度。
) }3 b# W3 ^5 ^/ w
群聯指出，支援50奈米的NAND Flash晶片是可矯正12bit的ECC，到了43奈米製程世代，預計可矯正24bit的ECC功能，配合NAND Flash晶片世代演進。
0 ?4 {8 Q& D- T2 T4 R0 Y/ P
$ e4 {, t2 i$ g. L8 B" I! t' O  bECC修正能力主要是用來輔助NAND Flash晶片的功能，協助導入在各種終端產品上，加強NAND Flash進入消費性電子產品和個人電腦(PC)的速度，未來ECC的矯正功能也會增進至32bit，隨著40奈米和30奈米製程世代來臨，控制晶片的ECC角色越來越吃重。

mitch90021

有看有回  ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~